Справочник MOSFET. SCT20N120

 

SCT20N120 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SCT20N120
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 175 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 200 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.239 Ohm
   Тип корпуса: HIP247
 

 Аналог (замена) для SCT20N120

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SCT20N120 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:493K  st
 sct20n120.pdf pdf_icon

SCT20N120

SCT20N120Silicon carbide Power MOSFET: 20 A, 1200 V, 189 m (typ., TJ=150 C), N-channel in a HiP247Datasheet - production dataFeatures Very tight variation of on-resistance vs. temperature Slight variation of switching losses vs. temperature Very high operating temperature capability 3(200 C)21 Very fast and robust intrinsic body diode Low ca

 9.1. Size:389K  rohm
 sct2080ke.pdf pdf_icon

SCT20N120

SCT2080KE N-channel SiC power MOSFET DatasheetlOutline TO-247VDSS1200V TO-247NRDS(on) (Typ.)80mID40AlFeatures lInner circuit1) Low on-resistance(1) Gate2) Fast switching speed(2) Drain3) Fast reverse recovery (3) Source4) Easy to parallel* Body Diode5) Simple to drive6) Pb-free lead plating ; RoHS compliantlPackaging specifications*1TO-247 TO-247N

Другие MOSFET... MMD60R900QRH , STF23N80K5 , STF6N90K5 , SW3N90U , SWI3N90U , SWMI3N90U , SWD3N90U , SCT10N120 , IRF1405 , STB100N6F7 , STB10LN80K5 , STB15N65M5 , STB15NK50Z , STB15NK50Z-1 , STB17N80K5 , STB200NF04 , STB23N80K5 .

History: RU30106L | RU30110M | APM6055NU | SRC60R017FBT4G | HM4402B | 2SK4227JS | FDP023N08B

 

 
Back to Top

 


 
.