SCT20N120 - описание и поиск аналогов

 

SCT20N120. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SCT20N120

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 175 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 200 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.239 Ohm

Тип корпуса: HIP247

Аналог (замена) для SCT20N120

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SCT20N120 даташит

 ..1. Size:493K  st
 sct20n120.pdf pdf_icon

SCT20N120

SCT20N120 Silicon carbide Power MOSFET 20 A, 1200 V, 189 m (typ., TJ=150 C), N-channel in a HiP247 Datasheet - production data Features Very tight variation of on-resistance vs. temperature Slight variation of switching losses vs. temperature Very high operating temperature capability 3 (200 C) 2 1 Very fast and robust intrinsic body diode Low ca

 9.1. Size:389K  rohm
 sct2080ke.pdf pdf_icon

SCT20N120

SCT2080KE N-channel SiC power MOSFET Datasheet lOutline TO-247 VDSS 1200V TO-247N RDS(on) (Typ.) 80m ID 40A lFeatures lInner circuit 1) Low on-resistance (1) Gate 2) Fast switching speed (2) Drain 3) Fast reverse recovery (3) Source 4) Easy to parallel * Body Diode 5) Simple to drive 6) Pb-free lead plating ; RoHS compliant lPackaging specifications*1 TO-247 TO-247N

Другие MOSFET... MMD60R900QRH , STF23N80K5 , STF6N90K5 , SW3N90U , SWI3N90U , SWMI3N90U , SWD3N90U , SCT10N120 , IRF830 , STB100N6F7 , STB10LN80K5 , STB15N65M5 , STB15NK50Z , STB15NK50Z-1 , STB17N80K5 , STB200NF04 , STB23N80K5 .

History: SI3585DV-T1 | ZXMP10A18KTC | 2SK2672 | FHP5N65C | AP4533GEM-HF | 2SK2080-01 | IRLS3034-7PPBF

 

 

 

 

↑ Back to Top
.