STB17N80K5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STB17N80K5
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 170 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10.8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 64 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.34 Ohm
Paquete / Cubierta: TO263
Búsqueda de reemplazo de STB17N80K5 MOSFET
STB17N80K5 Datasheet (PDF)
stb17n80k5.pdf
STB17N80K5 N-channel 800 V, 0.29 typ., 14 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package Datasheet - production data Features Order code V R max. I DS DS(on) DTABSTB17N80K5 800 V 0.34 14 A 2 Industrys lowest RDS(on) x area 3 Industrys best FoM (figure of merit) 1 Ultra-low gate charge 100% avalanche tested DPAK Zener-protected
stb170nf04.pdf
STB170NF04N-channel 40 V, 4.4 m, 80 A, D2PAKSTripFET II Power MOSFETFeatures VDSS RDS(on) ID PTOTTypeSTB170NF04 40 V
Otros transistores... SWD3N90U , SCT10N120 , SCT20N120 , STB100N6F7 , STB10LN80K5 , STB15N65M5 , STB15NK50Z , STB15NK50Z-1 , 2SK3918 , STB200NF04 , STB23N80K5 , STB28N60DM2 , STB33N60DM2 , STB35N60DM2 , STB37N60DM2AG , STB45N30M5 , STB47N50DM6AG .
History: NCEP055N12D | WML15N80M3 | HSL0107 | WMK16N70SR | HSCB2016 | RCJ120N25 | RU6035M3
History: NCEP055N12D | WML15N80M3 | HSL0107 | WMK16N70SR | HSCB2016 | RCJ120N25 | RU6035M3
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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