STB17N80K5 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STB17N80K5
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 170 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10.8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 64 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.34 Ohm
Encapsulados: TO263
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STB17N80K5 datasheet
stb17n80k5.pdf
STB17N80K5 N-channel 800 V, 0.29 typ., 14 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D PAK package Datasheet - production data Features Order code V R max. I DS DS(on) D TAB STB17N80K5 800 V 0.34 14 A 2 Industry s lowest RDS(on) x area 3 Industry s best FoM (figure of merit) 1 Ultra-low gate charge 100% avalanche tested D PAK Zener-protected
stb170nf04.pdf
STB170NF04 N-channel 40 V, 4.4 m , 80 A, D2PAK STripFET II Power MOSFET Features VDSS RDS(on) ID PTOT Type STB170NF04 40 V
Otros transistores... SWD3N90U , SCT10N120 , SCT20N120 , STB100N6F7 , STB10LN80K5 , STB15N65M5 , STB15NK50Z , STB15NK50Z-1 , EMB04N03H , STB200NF04 , STB23N80K5 , STB28N60DM2 , STB33N60DM2 , STB35N60DM2 , STB37N60DM2AG , STB45N30M5 , STB47N50DM6AG .
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Liste
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MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
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