STB17N80K5 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STB17N80K5
Маркировка: 17N80K5
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 170 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 800 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 14 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 26 nC
Время нарастания (tr): 10.8 ns
Выходная емкость (Cd): 64 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.34 Ohm
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для STB17N80K5
STB17N80K5 Datasheet (PDF)
stb17n80k5.pdf
STB17N80K5 N-channel 800 V, 0.29 typ., 14 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package Datasheet - production data Features Order code V R max. I DS DS(on) DTABSTB17N80K5 800 V 0.34 14 A 2 Industrys lowest RDS(on) x area 3 Industrys best FoM (figure of merit) 1 Ultra-low gate charge 100% avalanche tested DPAK Zener-protected
stb170nf04.pdf
STB170NF04N-channel 40 V, 4.4 m, 80 A, D2PAKSTripFET II Power MOSFETFeatures VDSS RDS(on) ID PTOTTypeSTB170NF04 40 V
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: SVS20N60SD2TR
