Справочник MOSFET. STB17N80K5

 

STB17N80K5 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STB17N80K5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 170 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 64 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.34 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для STB17N80K5

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STB17N80K5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:917K  st
 stb17n80k5.pdf pdf_icon

STB17N80K5

STB17N80K5 N-channel 800 V, 0.29 typ., 14 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package Datasheet - production data Features Order code V R max. I DS DS(on) DTABSTB17N80K5 800 V 0.34 14 A 2 Industrys lowest RDS(on) x area 3 Industrys best FoM (figure of merit) 1 Ultra-low gate charge 100% avalanche tested DPAK Zener-protected

 9.1. Size:384K  st
 stb170nf04.pdf pdf_icon

STB17N80K5

STB170NF04N-channel 40 V, 4.4 m, 80 A, D2PAKSTripFET II Power MOSFETFeatures VDSS RDS(on) ID PTOTTypeSTB170NF04 40 V

Другие MOSFET... SWD3N90U , SCT10N120 , SCT20N120 , STB100N6F7 , STB10LN80K5 , STB15N65M5 , STB15NK50Z , STB15NK50Z-1 , 2SK3918 , STB200NF04 , STB23N80K5 , STB28N60DM2 , STB33N60DM2 , STB35N60DM2 , STB37N60DM2AG , STB45N30M5 , STB47N50DM6AG .

History: RU2HE5L | PDN2311S | IPL60R360P6S | SIA417DJ | MTP12N08L | IRF7380Q | SSM9977GH

 

 
Back to Top

 


 
.