STB17N80K5 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: STB17N80K5
Маркировка: 17N80K5
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 170 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 26 nC
tr ⓘ - Время нарастания: 10.8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 64 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.34 Ohm
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для STB17N80K5
STB17N80K5 Datasheet (PDF)
stb17n80k5.pdf
STB17N80K5 N-channel 800 V, 0.29 typ., 14 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package Datasheet - production data Features Order code V R max. I DS DS(on) DTABSTB17N80K5 800 V 0.34 14 A 2 Industrys lowest RDS(on) x area 3 Industrys best FoM (figure of merit) 1 Ultra-low gate charge 100% avalanche tested DPAK Zener-protected
stb170nf04.pdf
STB170NF04N-channel 40 V, 4.4 m, 80 A, D2PAKSTripFET II Power MOSFETFeatures VDSS RDS(on) ID PTOTTypeSTB170NF04 40 V
Другие MOSFET... SWD3N90U , SCT10N120 , SCT20N120 , STB100N6F7 , STB10LN80K5 , STB15N65M5 , STB15NK50Z , STB15NK50Z-1 , 2SK3918 , STB200NF04 , STB23N80K5 , STB28N60DM2 , STB33N60DM2 , STB35N60DM2 , STB37N60DM2AG , STB45N30M5 , STB47N50DM6AG .
History: APM6055NU | KO3414 | HM4402B | 2SK4227JS | SRC60R017FBT4G | FDP023N08B | CS6N90A8H
History: APM6055NU | KO3414 | HM4402B | 2SK4227JS | SRC60R017FBT4G | FDP023N08B | CS6N90A8H
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
bd135 | d880 | 2n5457 equivalent | 2sc945 replacement | 9014 transistor | irfp260n datasheet | irfp250m | 2sk1058