STB37N60DM2AG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STB37N60DM2AG
   Código: 37N60DM2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 210 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 28 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 54 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.11 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263

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STB37N60DM2AG Datasheet (PDF)

..1. Size:910K st
stb37n60dm2ag.pdf

STB37N60DM2AG Automotive-grade N-channel 600 V, 0.094 typ., 28 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package Datasheet - production data Features Order code VDS RDS(on) max. ID PTOT TABSTB37N60DM2AG 600 V 0.110 28 A 210 W Designed for automotive applications and 3 AEC-Q101 qualified 1 Fast-recovery body diode Extremely low gate charge and input capa

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