STB37N60DM2AG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STB37N60DM2AG
Código: 37N60DM2
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 210 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 600 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 25 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 28 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 5 V
Carga de la puerta (Qg): 54 nC
Tiempo de subida (tr): 17 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 110 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.11 Ohm
Paquete / Cubierta: TO263
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STB37N60DM2AG Datasheet (PDF)
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STB37N60DM2AG Automotive-grade N-channel 600 V, 0.094 typ., 28 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package Datasheet - production data Features Order code VDS RDS(on) max. ID PTOT TABSTB37N60DM2AG 600 V 0.110 28 A 210 W Designed for automotive applications and 3 AEC-Q101 qualified 1 Fast-recovery body diode Extremely low gate charge and input capa
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