STB37N60DM2AG - описание и поиск аналогов

 

STB37N60DM2AG. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STB37N60DM2AG

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 210 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для STB37N60DM2AG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STB37N60DM2AG даташит

 ..1. Size:910K  st
 stb37n60dm2ag.pdf pdf_icon

STB37N60DM2AG

STB37N60DM2AG Automotive-grade N-channel 600 V, 0.094 typ., 28 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a D PAK package Datasheet - production data Features Order code VDS RDS(on) max. ID PTOT TAB STB37N60DM2AG 600 V 0.110 28 A 210 W Designed for automotive applications and 3 AEC-Q101 qualified 1 Fast-recovery body diode Extremely low gate charge and input capa

Другие MOSFET... STB15NK50Z , STB15NK50Z-1 , STB17N80K5 , STB200NF04 , STB23N80K5 , STB28N60DM2 , STB33N60DM2 , STB35N60DM2 , IRFP064N , STB45N30M5 , STB47N50DM6AG , STB55NF06-1 , STB80NF55-06 , STB90NF03L-1 , STB9NK70Z , STD10LN80K5 , STD12N60DM2AG .

History: WMO18N50C4 | JCS4N60FB | NTD4965N | 2SK1356 | WMM28N60F2 | APM9988QB

 

 

 

 

↑ Back to Top
.