Справочник MOSFET. STB37N60DM2AG

 

STB37N60DM2AG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STB37N60DM2AG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 210 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для STB37N60DM2AG

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STB37N60DM2AG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:910K  st
 stb37n60dm2ag.pdf pdf_icon

STB37N60DM2AG

STB37N60DM2AG Automotive-grade N-channel 600 V, 0.094 typ., 28 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package Datasheet - production data Features Order code VDS RDS(on) max. ID PTOT TABSTB37N60DM2AG 600 V 0.110 28 A 210 W Designed for automotive applications and 3 AEC-Q101 qualified 1 Fast-recovery body diode Extremely low gate charge and input capa

Другие MOSFET... STB15NK50Z , STB15NK50Z-1 , STB17N80K5 , STB200NF04 , STB23N80K5 , STB28N60DM2 , STB33N60DM2 , STB35N60DM2 , 5N50 , STB45N30M5 , STB47N50DM6AG , STB55NF06-1 , STB80NF55-06 , STB90NF03L-1 , STB9NK70Z , STD10LN80K5 , STD12N60DM2AG .

History: JFPC13N50C | IRF721FI

 

 
Back to Top

 


 
.