STB47N50DM6AG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STB47N50DM6AG
   Código: 47N50DM6
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 250 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 500 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 25 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 38 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 5 V
   Carga de la puerta (Qg): 57 nC
   Tiempo de subida (tr): 5.4 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 140 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.071 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263

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STB47N50DM6AG Datasheet (PDF)

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stb47n50dm6ag.pdf

STB47N50DM6AGDatasheetAutomotive-grade N-channel 500 V, 61 m typ., 38 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a DPAK packageFeaturesTABVDS RDS(on) max. IDOrder codeSTB47N50DM6AG 500 V 71 m 38 A231 AEC-Q101 qualified DPAK Fast-recovery body diode Lower RDS(on) per area vs previous generation Low gate charge, input capacitance and resistanceD(2, TAB)

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History: SIHB33N60E | LSE60R240HT | WMM18N65EM | OSG65R074KT3ZF

Liste

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