STB47N50DM6AG Todos los transistores

 

STB47N50DM6AG MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STB47N50DM6AG

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 38 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5.4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 140 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.071 Ohm

Encapsulados: TO263

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STB47N50DM6AG datasheet

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STB47N50DM6AG

STB47N50DM6AG Datasheet Automotive-grade N-channel 500 V, 61 m typ., 38 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a D PAK package Features TAB VDS RDS(on) max. ID Order code STB47N50DM6AG 500 V 71 m 38 A 2 3 1 AEC-Q101 qualified D PAK Fast-recovery body diode Lower RDS(on) per area vs previous generation Low gate charge, input capacitance and resistance D(2, TAB)

Otros transistores... STB17N80K5 , STB200NF04 , STB23N80K5 , STB28N60DM2 , STB33N60DM2 , STB35N60DM2 , STB37N60DM2AG , STB45N30M5 , IRF730 , STB55NF06-1 , STB80NF55-06 , STB90NF03L-1 , STB9NK70Z , STD10LN80K5 , STD12N60DM2AG , STD13N50DM2AG , STD13N60DM2 .

History: LXP152ALT1G | 30P06 | 2SK3857CT | NTD4904N | IRF3205LPBF

 

 

 

 

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