Справочник MOSFET. STB47N50DM6AG

 

STB47N50DM6AG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STB47N50DM6AG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 38 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.071 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для STB47N50DM6AG

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STB47N50DM6AG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:412K  st
 stb47n50dm6ag.pdf pdf_icon

STB47N50DM6AG

STB47N50DM6AGDatasheetAutomotive-grade N-channel 500 V, 61 m typ., 38 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a DPAK packageFeaturesTABVDS RDS(on) max. IDOrder codeSTB47N50DM6AG 500 V 71 m 38 A231 AEC-Q101 qualified DPAK Fast-recovery body diode Lower RDS(on) per area vs previous generation Low gate charge, input capacitance and resistanceD(2, TAB)

Другие MOSFET... STB17N80K5 , STB200NF04 , STB23N80K5 , STB28N60DM2 , STB33N60DM2 , STB35N60DM2 , STB37N60DM2AG , STB45N30M5 , BS170 , STB55NF06-1 , STB80NF55-06 , STB90NF03L-1 , STB9NK70Z , STD10LN80K5 , STD12N60DM2AG , STD13N50DM2AG , STD13N60DM2 .

History: SJMN60R15F | FDZ1323NZ | TPN6R303NC

 

 
Back to Top

 


 
.