Справочник MOSFET. STB47N50DM6AG

 

STB47N50DM6AG MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: STB47N50DM6AG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 38 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 5.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.071 Ohm
   Тип корпуса: TO263

 Аналог (замена) для STB47N50DM6AG

 

 

STB47N50DM6AG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:412K  st
 stb47n50dm6ag.pdf

STB47N50DM6AG STB47N50DM6AG

STB47N50DM6AGDatasheetAutomotive-grade N-channel 500 V, 61 m typ., 38 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a DPAK packageFeaturesTABVDS RDS(on) max. IDOrder codeSTB47N50DM6AG 500 V 71 m 38 A231 AEC-Q101 qualified DPAK Fast-recovery body diode Lower RDS(on) per area vs previous generation Low gate charge, input capacitance and resistanceD(2, TAB)

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: AM3444N | CM2N65C

 

 
Back to Top