STB47N50DM6AG - описание и поиск аналогов

 

STB47N50DM6AG. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STB47N50DM6AG

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 38 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.071 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для STB47N50DM6AG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STB47N50DM6AG даташит

 ..1. Size:412K  st
 stb47n50dm6ag.pdf pdf_icon

STB47N50DM6AG

STB47N50DM6AG Datasheet Automotive-grade N-channel 500 V, 61 m typ., 38 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a D PAK package Features TAB VDS RDS(on) max. ID Order code STB47N50DM6AG 500 V 71 m 38 A 2 3 1 AEC-Q101 qualified D PAK Fast-recovery body diode Lower RDS(on) per area vs previous generation Low gate charge, input capacitance and resistance D(2, TAB)

Другие MOSFET... STB17N80K5 , STB200NF04 , STB23N80K5 , STB28N60DM2 , STB33N60DM2 , STB35N60DM2 , STB37N60DM2AG , STB45N30M5 , IRF730 , STB55NF06-1 , STB80NF55-06 , STB90NF03L-1 , STB9NK70Z , STD10LN80K5 , STD12N60DM2AG , STD13N50DM2AG , STD13N60DM2 .

History: NCE60H10F | 4N60KL-TF1-T

 

 

 

 

↑ Back to Top
.