Справочник MOSFET. STB47N50DM6AG

 

STB47N50DM6AG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STB47N50DM6AG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 38 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 5.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.071 Ohm
   Тип корпуса: TO263
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

STB47N50DM6AG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:412K  st
 stb47n50dm6ag.pdf pdf_icon

STB47N50DM6AG

STB47N50DM6AGDatasheetAutomotive-grade N-channel 500 V, 61 m typ., 38 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a DPAK packageFeaturesTABVDS RDS(on) max. IDOrder codeSTB47N50DM6AG 500 V 71 m 38 A231 AEC-Q101 qualified DPAK Fast-recovery body diode Lower RDS(on) per area vs previous generation Low gate charge, input capacitance and resistanceD(2, TAB)

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: FDP032N08

 

 
Back to Top

 


 
.