STD15N50M2AG Todos los transistores

 

STD15N50M2AG MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STD15N50M2AG

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 85 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3.2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 33 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.38 Ohm

Encapsulados: TO252

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STD15N50M2AG datasheet

 ..1. Size:788K  st
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STD15N50M2AG

STD15N50M2AG Automotive-grade N-channel 500 V, 0.336 typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package Datasheet - production data Features R DS(on) Order code V I P DS D TOT max. STD15N50M2AG 500 V 0.380 10 A 85 W Designed for automotive applications and AEC-Q101 qualified Extremely low gate charge Excellent output capacitance (C ) profile OSS

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STD15N50M2AG

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std15n06l std15n06l-1 std15n06lt4.pdf pdf_icon

STD15N50M2AG

STD15N06L N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR TYPE V R I DSS DS(on) D STD15N06L 60 V

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STD15N50M2AG

STD15NF10 N-channel 100 V, 0.060 , 23 A, DPAK low gate charge STripFET II Power MOSFET Features VDSSS RDS(on) max ID Type STD15NF10 100 V

Otros transistores... STB55NF06-1 , STB80NF55-06 , STB90NF03L-1 , STB9NK70Z , STD10LN80K5 , STD12N60DM2AG , STD13N50DM2AG , STD13N60DM2 , IRFP460 , STD20NF06L-1 , STQ2HNK60Z-AP , STD4LN80K5 , STD4N90K5 , STD5N60DM2 , STD64N4F6AG , STD7LN80K5 , STD8N60DM2 .

 

 

 

 

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