STD15N50M2AG MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STD15N50M2AG
Маркировка: 15N50M2
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 85 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 10 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 13 nC
Время нарастания (tr): 3.2 ns
Выходная емкость (Cd): 33 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.38 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для STD15N50M2AG
STD15N50M2AG Datasheet (PDF)
std15n50m2ag.pdf
STD15N50M2AG Automotive-grade N-channel 500 V, 0.336 typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package Datasheet - production data Features R DS(on)Order code V I P DS D TOTmax. STD15N50M2AG 500 V 0.380 10 A 85 W Designed for automotive applications and AEC-Q101 qualified Extremely low gate charge Excellent output capacitance (C ) profile OSS
std15n06l std15n06l-1 std15n06lt4.pdf
STD15N06LN - CHANNEL ENHANCEMENT MODELOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTD15N06L 60 V
std15nf10.pdf
STD15NF10N-channel 100 V, 0.060 , 23 A, DPAKlow gate charge STripFET II Power MOSFETFeaturesVDSSS RDS(on) max IDTypeSTD15NF10 100 V
stb15n65m5 std15n65m5.pdf
STB15N65M5, STD15N65M5DatasheetN-channel 650 V, 0.308 typ., 11 A MDmesh M5 Power MOSFETs in D2PAK and DPAK packagesFeaturesTABTABVDS @RDS(on) max. IDOrder codeTJmax32213STB15N65M51710 V 0.34 11 AD2PAK DPAKSTD15N65M5 Extremely low RDS(on)D(2, TAB) Low gate charge and input capacitance Excellent switching performance 100% aval
std15n06-.pdf
STD15N06N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTD15N06 60 V
std15nf10t4.pdf
STD15NF10N-channel 100 V, 0.060 , 23 A, DPAKlow gate charge STripFET II Power MOSFETFeaturesVDSSS RDS(on) max IDTypeSTD15NF10 100 V
std15n65m5.pdf
STB15N65M5, STD15N65M5N-channel 650 V, 0.308 typ., 11 A MDmesh V Power MOSFET in D2PAK and DPAK packagesDatasheet production dataFeaturesVDS @ RDS(on) Order codes IDTJmax maxTABSTB15N65M5TAB710 V
std15n.pdf
STD15N06LN - CHANNEL ENHANCEMENT MODELOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTD15N06L 60 V
stu15n20 std15n20.pdf
STU15N20GreenProductSTD15N20aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) TypRugged and reliable.200V 15A 190 @ VGS=10VTO-252 and TO-251 Package.GSSTU SERIESSTD SERIES( )TO - 252AA D- PAK ( )TO - 251 I - PAKAB
std15nf10t4.pdf
INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor STD15NF10T4FEATURESWith To-252(DPAK) packageApplication oriented characterizationExcellent switching performance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
