Справочник MOSFET. STD15N50M2AG

 

STD15N50M2AG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STD15N50M2AG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 85 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 33 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для STD15N50M2AG

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STD15N50M2AG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:788K  st
std15n50m2ag.pdfpdf_icon

STD15N50M2AG

STD15N50M2AG Automotive-grade N-channel 500 V, 0.336 typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package Datasheet - production data Features R DS(on)Order code V I P DS D TOTmax. STD15N50M2AG 500 V 0.380 10 A 85 W Designed for automotive applications and AEC-Q101 qualified Extremely low gate charge Excellent output capacitance (C ) profile OSS

 8.1. Size:506K  1
std15n06 std15n06-1 std15n06t4.pdfpdf_icon

STD15N50M2AG

 8.2. Size:140K  1
std15n06l std15n06l-1 std15n06lt4.pdfpdf_icon

STD15N50M2AG

STD15N06LN - CHANNEL ENHANCEMENT MODELOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTD15N06L 60 V

 8.3. Size:331K  st
std15nf10.pdfpdf_icon

STD15N50M2AG

STD15NF10N-channel 100 V, 0.060 , 23 A, DPAKlow gate charge STripFET II Power MOSFETFeaturesVDSSS RDS(on) max IDTypeSTD15NF10 100 V

Другие MOSFET... STB55NF06-1 , STB80NF55-06 , STB90NF03L-1 , STB9NK70Z , STD10LN80K5 , STD12N60DM2AG , STD13N50DM2AG , STD13N60DM2 , IRF640 , STD20NF06L-1 , STQ2HNK60Z-AP , STD4LN80K5 , STD4N90K5 , STD5N60DM2 , STD64N4F6AG , STD7LN80K5 , STD8N60DM2 .

History: WML80R160S | WVM9.5N100 | SI5948DU | FDB9403L-F085 | TJ9A10M3 | 2SK1990 | FCU600N65S3R0

 

 
Back to Top

 


 
.