STD4LN80K5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STD4LN80K5
   Código: 4LN80K5
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 60 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 800 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 3 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 5 V
   Carga de la puerta (Qg): 3.7 nC
   Tiempo de subida (tr): 9 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 11 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 2.6 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

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STD4LN80K5 Datasheet (PDF)

..1. Size:809K st
std4ln80k5.pdf

STD4LN80K5 N-channel 800 V, 2.1 typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package Datasheet - production data Features Order code V R max. I DS DS(on) DSTD4LN80K5 800 V 2.6 3 A Industrys lowest R x area DS(on) Industrys best figure of merit (FoM) DPAK Ultra low gate charge 100% avalanche tested Zener-protected Figure 1: Internal s

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Liste

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