Справочник MOSFET. STD4LN80K5

 

STD4LN80K5 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STD4LN80K5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 11 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.6 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для STD4LN80K5

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STD4LN80K5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:809K  st
 std4ln80k5.pdf pdf_icon

STD4LN80K5

STD4LN80K5 N-channel 800 V, 2.1 typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package Datasheet - production data Features Order code V R max. I DS DS(on) DSTD4LN80K5 800 V 2.6 3 A Industrys lowest R x area DS(on) Industrys best figure of merit (FoM) DPAK Ultra low gate charge 100% avalanche tested Zener-protected Figure 1: Internal s

Другие MOSFET... STB9NK70Z , STD10LN80K5 , STD12N60DM2AG , STD13N50DM2AG , STD13N60DM2 , STD15N50M2AG , STD20NF06L-1 , STQ2HNK60Z-AP , IRF1404 , STD4N90K5 , STD5N60DM2 , STD64N4F6AG , STD7LN80K5 , STD8N60DM2 , STF11N60M2-EP , STF11N65M2-045Y , STF13N60DM2 .

History: IRFL024ZPBF | IPI100N10S3-05 | TPC8047-H | CS6N70CRHD | NTMFS6H801N | STD11NM50N | HCD70R910

 

 
Back to Top

 


 
.