STD4LN80K5 - описание и поиск аналогов

 

STD4LN80K5. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STD4LN80K5

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 11 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.6 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для STD4LN80K5

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STD4LN80K5 даташит

 ..1. Size:809K  st
 std4ln80k5.pdf pdf_icon

STD4LN80K5

STD4LN80K5 N-channel 800 V, 2.1 typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package Datasheet - production data Features Order code V R max. I DS DS(on) D STD4LN80K5 800 V 2.6 3 A Industry s lowest R x area DS(on) Industry s best figure of merit (FoM) DPAK Ultra low gate charge 100% avalanche tested Zener-protected Figure 1 Internal s

Другие MOSFET... STB9NK70Z , STD10LN80K5 , STD12N60DM2AG , STD13N50DM2AG , STD13N60DM2 , STD15N50M2AG , STD20NF06L-1 , STQ2HNK60Z-AP , IRF1404 , STD4N90K5 , STD5N60DM2 , STD64N4F6AG , STD7LN80K5 , STD8N60DM2 , STF11N60M2-EP , STF11N65M2-045Y , STF13N60DM2 .

History: STD4N90K5 | 2SK443

 

 

 

 

↑ Back to Top
.