STD64N4F6AG Todos los transistores

 

STD64N4F6AG MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STD64N4F6AG

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 54 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 113 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 232 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0082 Ohm

Encapsulados: TO252

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STD64N4F6AG datasheet

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STD64N4F6AG

STD64N4F6AG Automotive-grade N-channel 40 V, 7 m typ., 54 A STripFET F6 Power MOSFET in a DPAK package Datasheet - production data Features Order code V R max. I P DS DS(on) D TOT STD64N4F6AG 40 V 8.2 m 54 A 60 W Designed for automotive applications and AEC-Q101 qualified Very low on-resistance Very low gate charge High avalanche ruggedness Figure

Otros transistores... STD13N50DM2AG , STD13N60DM2 , STD15N50M2AG , STD20NF06L-1 , STQ2HNK60Z-AP , STD4LN80K5 , STD4N90K5 , STD5N60DM2 , IRF640N , STD7LN80K5 , STD8N60DM2 , STF11N60M2-EP , STF11N65M2-045Y , STF13N60DM2 , STF140N6F7 , STF15N60M2-EP , STF16N60M6 .

History: CS3N50B4 | 2SJ181S | SI2301B | SM9998DSQG

 

 

 

 

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