Справочник MOSFET. STD64N4F6AG

 

STD64N4F6AG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STD64N4F6AG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 54 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 113 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 232 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0082 Ohm
   Тип корпуса: TO252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

STD64N4F6AG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:434K  st
 std64n4f6ag.pdf pdf_icon

STD64N4F6AG

STD64N4F6AG Automotive-grade N-channel 40 V, 7 m typ., 54 A STripFET F6 Power MOSFET in a DPAK package Datasheet - production data Features Order code V R max. I P DS DS(on) D TOTSTD64N4F6AG 40 V 8.2 m 54 A 60 W Designed for automotive applications and AEC-Q101 qualified Very low on-resistance Very low gate charge High avalanche ruggedness Figure

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: DMS2095LFDB | SRT15N110HTC | STU330S | AP98T03GP-HF | SRT10N120LD | IRFI840G | 2SJ601-Z

 

 
Back to Top

 


 
.