Справочник MOSFET. STD64N4F6AG

 

STD64N4F6AG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STD64N4F6AG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 54 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 113 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 232 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0082 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для STD64N4F6AG

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STD64N4F6AG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:434K  st
 std64n4f6ag.pdf pdf_icon

STD64N4F6AG

STD64N4F6AG Automotive-grade N-channel 40 V, 7 m typ., 54 A STripFET F6 Power MOSFET in a DPAK package Datasheet - production data Features Order code V R max. I P DS DS(on) D TOTSTD64N4F6AG 40 V 8.2 m 54 A 60 W Designed for automotive applications and AEC-Q101 qualified Very low on-resistance Very low gate charge High avalanche ruggedness Figure

Другие MOSFET... STD13N50DM2AG , STD13N60DM2 , STD15N50M2AG , STD20NF06L-1 , STQ2HNK60Z-AP , STD4LN80K5 , STD4N90K5 , STD5N60DM2 , IRF630 , STD7LN80K5 , STD8N60DM2 , STF11N60M2-EP , STF11N65M2-045Y , STF13N60DM2 , STF140N6F7 , STF15N60M2-EP , STF16N60M6 .

History: STP170N8F7 | UJ0100 | HB3510P | CPC3701C | IRLR7843 | WM02DN48A | TMPF8N25Z

 

 
Back to Top

 


 
.