STD64N4F6AG - описание и поиск аналогов

 

STD64N4F6AG. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STD64N4F6AG

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 54 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 113 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 232 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0082 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для STD64N4F6AG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STD64N4F6AG даташит

 ..1. Size:434K  st
 std64n4f6ag.pdf pdf_icon

STD64N4F6AG

STD64N4F6AG Automotive-grade N-channel 40 V, 7 m typ., 54 A STripFET F6 Power MOSFET in a DPAK package Datasheet - production data Features Order code V R max. I P DS DS(on) D TOT STD64N4F6AG 40 V 8.2 m 54 A 60 W Designed for automotive applications and AEC-Q101 qualified Very low on-resistance Very low gate charge High avalanche ruggedness Figure

Другие MOSFET... STD13N50DM2AG , STD13N60DM2 , STD15N50M2AG , STD20NF06L-1 , STQ2HNK60Z-AP , STD4LN80K5 , STD4N90K5 , STD5N60DM2 , IRF640N , STD7LN80K5 , STD8N60DM2 , STF11N60M2-EP , STF11N65M2-045Y , STF13N60DM2 , STF140N6F7 , STF15N60M2-EP , STF16N60M6 .

History: AP4521GEH | WMK037N10HGS | 2SK2223-01 | STD4NK80Z-1 | SM2630DSC | STC4301D | SM1A11NSU

 

 

 

 

↑ Back to Top
.