STT812A Todos los transistores

 

STT812A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STT812A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.4 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 21 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.569 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT223
 

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STT812A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:127K  samhop
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STT812A

GreenProductSTT812AaS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.569 @ VGS=10VSurface Mount Package.80V 1.4A674 @ VGS=4.5V D G GSSTT SERIES S SOT - 223 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25

 9.1. Size:143K  st
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STT812A

STT818BHigh gain low voltage PNP power transistorFeatures Very low collector to emitter saturation voltage DC current gain > 100 (hFE) 3 A continuous collector current (IC)Applications Power management in portable equipmentsSOT23-6L Switching regulator in battery charger applicationsDescriptionThe device is manufactured in low voltage PNP Figure 1. Inter

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