STT812A Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STT812A  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 80 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.4 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 21 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.569 Ohm

Encapsulados: SOT223

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STT812A datasheet

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STT812A

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STT812A

STT818B High gain low voltage PNP power transistor Features Very low collector to emitter saturation voltage DC current gain > 100 (hFE) 3 A continuous collector current (IC) Applications Power management in portable equipments SOT23-6L Switching regulator in battery charger applications Description The device is manufactured in low voltage PNP Figure 1. Inter

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