STT812A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: STT812A  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.4 A

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 21 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.569 Ohm

Тип корпуса: SOT223

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для STT812A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STT812A даташит

 ..1. Size:127K  samhop
 stt812a.pdf pdf_icon

STT812A

 9.1. Size:143K  st
 stt818b.pdf pdf_icon

STT812A

STT818B High gain low voltage PNP power transistor Features Very low collector to emitter saturation voltage DC current gain > 100 (hFE) 3 A continuous collector current (IC) Applications Power management in portable equipments SOT23-6L Switching regulator in battery charger applications Description The device is manufactured in low voltage PNP Figure 1. Inter

Другие IGBT... STU04N20, FDD3672, STU03N20, FDD3672F085, STU03L07, STU03L01, FDD3680, FDD3682F085, IRF530, FDD3690, STT6603, FDD3706, FDD3860, STT626, FDD390N15A, FDD3N40, STT622S