Справочник MOSFET. STT812A

 

STT812A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STT812A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.4 A
   Cossⓘ - Выходная емкость: 21 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.569 Ohm
   Тип корпуса: SOT223
 

 Аналог (замена) для STT812A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STT812A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:127K  samhop
 stt812a.pdf pdf_icon

STT812A

GreenProductSTT812AaS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.569 @ VGS=10VSurface Mount Package.80V 1.4A674 @ VGS=4.5V D G GSSTT SERIES S SOT - 223 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25

 9.1. Size:143K  st
 stt818b.pdf pdf_icon

STT812A

STT818BHigh gain low voltage PNP power transistorFeatures Very low collector to emitter saturation voltage DC current gain > 100 (hFE) 3 A continuous collector current (IC)Applications Power management in portable equipmentsSOT23-6L Switching regulator in battery charger applicationsDescriptionThe device is manufactured in low voltage PNP Figure 1. Inter

Другие MOSFET... STU04N20 , FDD3672 , STU03N20 , FDD3672F085 , STU03L07 , STU03L01 , FDD3680 , FDD3682F085 , AON6380 , FDD3690 , STT6603 , FDD3706 , FDD3860 , STT626 , FDD390N15A , FDD3N40 , STT622S .

 

 
Back to Top

 


 
.