STF8N60DM2 Todos los transistores

 

STF8N60DM2 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STF8N60DM2

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 24 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.6 Ohm

Encapsulados: TO220F

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STF8N60DM2 datasheet

 ..1. Size:710K  st
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STF8N60DM2

STF8N60DM2 N-channel 600 V, 550 m typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP package Datasheet - production data Features Order code V R max. I P DS DS(on) D TOT STF8N60DM2 600 V 600 m 8 A 25 W Fast-recovery body diode Extremely low gate charge and input capacitance Low on-resistance 100% avalanche tested Extremely high dv/dt ruggedness

 8.3. Size:201K  inchange semiconductor
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STF8N60DM2

INCHANGE Semiconductor Isc N-Channel MOSFET Transistor STF8N65M5 FEATURES Excellent switching performance Easy to drive 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Voltage 650 V DSS V Gate-

Otros transistores... STF26N65DM2 , STF28N60DM2 , STF33N60DM6 , STF3LN80K5 , STF5N80K5 , STF5NK52ZD , STF7LN80K5 , STF7N90K5 , IRLB4132 , STF9N80K5 , STFH18N60M2 , STFI11NM65N , STFI13N95K3 , STFI15N60M2-EP , STFI9N60M2 , STFI9N80K5 , STFU10N80K5 .

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