STF8N60DM2 - описание и поиск аналогов

 

STF8N60DM2. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STF8N60DM2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 24 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для STF8N60DM2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STF8N60DM2 даташит

 ..1. Size:710K  st
stf8n60dm2.pdfpdf_icon

STF8N60DM2

STF8N60DM2 N-channel 600 V, 550 m typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP package Datasheet - production data Features Order code V R max. I P DS DS(on) D TOT STF8N60DM2 600 V 600 m 8 A 25 W Fast-recovery body diode Extremely low gate charge and input capacitance Low on-resistance 100% avalanche tested Extremely high dv/dt ruggedness

 8.3. Size:201K  inchange semiconductor
stf8n65m5.pdfpdf_icon

STF8N60DM2

INCHANGE Semiconductor Isc N-Channel MOSFET Transistor STF8N65M5 FEATURES Excellent switching performance Easy to drive 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Voltage 650 V DSS V Gate-

Другие MOSFET... STF26N65DM2 , STF28N60DM2 , STF33N60DM6 , STF3LN80K5 , STF5N80K5 , STF5NK52ZD , STF7LN80K5 , STF7N90K5 , IRLB4132 , STF9N80K5 , STFH18N60M2 , STFI11NM65N , STFI13N95K3 , STFI15N60M2-EP , STFI9N60M2 , STFI9N80K5 , STFU10N80K5 .

History: S10H18RP | CS2N70A3R1-G

 

 

 

 

↑ Back to Top
.