STFH18N60M2 Todos los transistores

 

STFH18N60M2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STFH18N60M2
   Código: 18N60M2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 21.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.28 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

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STFH18N60M2 Datasheet (PDF)

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STFH18N60M2

STFH18N60M2DatasheetN-channel 600 V, 0.255 typ., 13 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP wide creepage packageFeaturesVDS @TJmax RDS(on) max. IDOrder codeSTFH18N60M2 650 V 0.280 13 A Extremely low gate charge Excellent output capacitance (COSS) profileTO-220 FP wide creepage 100% avalanche testedD(2) Zener-protected Wide distance of 4.25 mm bet

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History: SIR850DP

 

 
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