STFH18N60M2 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: STFH18N60M2
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.28 Ohm
Тип корпуса: TO220F
Аналог (замена) для STFH18N60M2
STFH18N60M2 Datasheet (PDF)
stfh18n60m2.pdf

STFH18N60M2DatasheetN-channel 600 V, 0.255 typ., 13 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP wide creepage packageFeaturesVDS @TJmax RDS(on) max. IDOrder codeSTFH18N60M2 650 V 0.280 13 A Extremely low gate charge Excellent output capacitance (COSS) profileTO-220 FP wide creepage 100% avalanche testedD(2) Zener-protected Wide distance of 4.25 mm bet
Другие MOSFET... STF33N60DM6 , STF3LN80K5 , STF5N80K5 , STF5NK52ZD , STF7LN80K5 , STF7N90K5 , STF8N60DM2 , STF9N80K5 , SPP20N60C3 , STFI11NM65N , STFI13N95K3 , STFI15N60M2-EP , STFI9N60M2 , STFI9N80K5 , STFU10N80K5 , STFU15N80K5 , STFU16N65M2 .
History: PSMG100-05 | SIR882ADP | SIR870DP | PN4302 | GSM8822 | GSM9407 | GSM8823
History: PSMG100-05 | SIR882ADP | SIR870DP | PN4302 | GSM8822 | GSM9407 | GSM8823



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
bcy21 | s8550 datasheet | mj50ac100 | 2sc1318 replacement | 2n3905 | mj15023 | tip36c transistor | 2sc3320