STFI9N80K5 Todos los transistores

 

STFI9N80K5 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STFI9N80K5

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5.7 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 37 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.9 Ohm

Encapsulados: I2PAKFP

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STFI9N80K5 datasheet

 ..1. Size:756K  st
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STFI9N80K5

STF9N80K5, STFI9N80K5 N-channel 800 V, 0.73 typ., 7 A MDmesh K5 Power MOSFETs in TO-220FP and I PAKFP packages Datasheet - production data Features Order code V R max. I DS DS(on) D STF9N80K5 800 V 0.90 7 A STFI9N80K5 TO-220FP I2PAKFP (TO-281) Industry s lowest RDS(on) x area Industry s best figure of merit (FoM) Ultra-low gate cha

 8.1. Size:879K  st
 stf9n60m2 stfi9n60m2.pdf pdf_icon

STFI9N80K5

STF9N60M2, STFI9N60M2 N-channel 600 V, 0.72 typ., 5.5 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFETs in TO-220FP and I2PAKFP packages Datasheet - production data Features VDS @ RDS(on) Order codes ID TJmax max STF9N60M2 650 V 0.78 5.5 A STFI9N60M2 Extremely low gate charge 3 2 1 2 1 3 Lower RDS(on) x area vs previous generation TO-220FP I2PAKFP (TO-281) Low

Otros transistores... STF7N90K5 , STF8N60DM2 , STF9N80K5 , STFH18N60M2 , STFI11NM65N , STFI13N95K3 , STFI15N60M2-EP , STFI9N60M2 , K4145 , STFU10N80K5 , STFU15N80K5 , STFU16N65M2 , STFU18N65M2 , STFU23N80K5 , STFU9N65M2 , STH15810-2 , STH410N4F7-2AG .

History: TK5A60W | AOD407 | DMP2225L | IXFQ50N50P3 | MSF10N65 | STS3417

 

 

 

 

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