STFI9N80K5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STFI9N80K5
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 5.7 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 37 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.9 Ohm
Paquete / Cubierta: I2PAKFP
Búsqueda de reemplazo de STFI9N80K5 MOSFET
STFI9N80K5 Datasheet (PDF)
stf9n80k5 stfi9n80k5.pdf
STF9N80K5, STFI9N80K5 N-channel 800 V, 0.73 typ., 7 A MDmesh K5 Power MOSFETs in TO-220FP and IPAKFP packages Datasheet - production data Features Order code V R max. I DS DS(on) DSTF9N80K5 800 V 0.90 7 A STFI9N80K5 TO-220FP I2PAKFP (TO-281) Industrys lowest RDS(on) x area Industrys best figure of merit (FoM) Ultra-low gate cha
stf9n60m2 stfi9n60m2.pdf
STF9N60M2, STFI9N60M2N-channel 600 V, 0.72 typ., 5.5 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFETs in TO-220FP and I2PAKFP packagesDatasheet - production dataFeaturesVDS @ RDS(on) Order codes IDTJmax maxSTF9N60M2650 V 0.78 5.5 ASTFI9N60M2 Extremely low gate charge321213 Lower RDS(on) x area vs previous generationTO-220FP I2PAKFP (TO-281) Low
Otros transistores... STF7N90K5 , STF8N60DM2 , STF9N80K5 , STFH18N60M2 , STFI11NM65N , STFI13N95K3 , STFI15N60M2-EP , STFI9N60M2 , K4145 , STFU10N80K5 , STFU15N80K5 , STFU16N65M2 , STFU18N65M2 , STFU23N80K5 , STFU9N65M2 , STH15810-2 , STH410N4F7-2AG .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AGM404AP1 | AGM404A | AGM403Q | AGM403DG | AGM403D1 | AGM403AP | AGM403A1-KU | AGM403A1 | AGM402Q | AGM402H | AGM402D | AGM402C1 | AGM402C | AGM402A1 | AGM402A | AGM4025Q
Popular searches
mj15023 | tip36c transistor | 2sc3320 | 2sc2078 | ac127 transistor | a42 transistor | bc547c | 2sa726