STFI9N80K5 Todos los transistores

 

STFI9N80K5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STFI9N80K5
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5.7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 37 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.9 Ohm
   Paquete / Cubierta: I2PAKFP
     - Selección de transistores por parámetros

 

STFI9N80K5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:756K  st
 stf9n80k5 stfi9n80k5.pdf pdf_icon

STFI9N80K5

STF9N80K5, STFI9N80K5 N-channel 800 V, 0.73 typ., 7 A MDmesh K5 Power MOSFETs in TO-220FP and IPAKFP packages Datasheet - production data Features Order code V R max. I DS DS(on) DSTF9N80K5 800 V 0.90 7 A STFI9N80K5 TO-220FP I2PAKFP (TO-281) Industrys lowest RDS(on) x area Industrys best figure of merit (FoM) Ultra-low gate cha

 8.1. Size:879K  st
 stf9n60m2 stfi9n60m2.pdf pdf_icon

STFI9N80K5

STF9N60M2, STFI9N60M2N-channel 600 V, 0.72 typ., 5.5 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFETs in TO-220FP and I2PAKFP packagesDatasheet - production dataFeaturesVDS @ RDS(on) Order codes IDTJmax maxSTF9N60M2650 V 0.78 5.5 ASTFI9N60M2 Extremely low gate charge321213 Lower RDS(on) x area vs previous generationTO-220FP I2PAKFP (TO-281) Low

Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: CEM0410 | SIHF6N65E | SI4430 | ME10N15 | IRF122 | 2N6904 | AUIRF8736M2TR

 

 
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