Справочник MOSFET. STFI9N80K5

 

STFI9N80K5 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STFI9N80K5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5.7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 37 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.9 Ohm
   Тип корпуса: I2PAKFP
 

 Аналог (замена) для STFI9N80K5

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STFI9N80K5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:756K  st
 stf9n80k5 stfi9n80k5.pdf pdf_icon

STFI9N80K5

STF9N80K5, STFI9N80K5 N-channel 800 V, 0.73 typ., 7 A MDmesh K5 Power MOSFETs in TO-220FP and IPAKFP packages Datasheet - production data Features Order code V R max. I DS DS(on) DSTF9N80K5 800 V 0.90 7 A STFI9N80K5 TO-220FP I2PAKFP (TO-281) Industrys lowest RDS(on) x area Industrys best figure of merit (FoM) Ultra-low gate cha

 8.1. Size:879K  st
 stf9n60m2 stfi9n60m2.pdf pdf_icon

STFI9N80K5

STF9N60M2, STFI9N60M2N-channel 600 V, 0.72 typ., 5.5 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFETs in TO-220FP and I2PAKFP packagesDatasheet - production dataFeaturesVDS @ RDS(on) Order codes IDTJmax maxSTF9N60M2650 V 0.78 5.5 ASTFI9N60M2 Extremely low gate charge321213 Lower RDS(on) x area vs previous generationTO-220FP I2PAKFP (TO-281) Low

Другие MOSFET... STF7N90K5 , STF8N60DM2 , STF9N80K5 , STFH18N60M2 , STFI11NM65N , STFI13N95K3 , STFI15N60M2-EP , STFI9N60M2 , IRFB3607 , STFU10N80K5 , STFU15N80K5 , STFU16N65M2 , STFU18N65M2 , STFU23N80K5 , STFU9N65M2 , STH15810-2 , STH410N4F7-2AG .

History: SMK0780F | FDB86360-F085 | FDD86252 | FCPF20N60 | WMK18N65EM | RU1H150R | EMA09N03AN

 

 
Back to Top

 


 
.