STFU9N65M2 Todos los transistores

 

STFU9N65M2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STFU9N65M2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 18 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.9 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

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STFU9N65M2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:457K  st
 stfu9n65m2.pdf pdf_icon

STFU9N65M2

STFU9N65M2DatasheetN-channel 650 V, 0.79 typ., 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP ultra narrow leads packageFeaturesVDS RDS(on) max. IDOrder codeSTFU9N65M2 650 V 0.90 5 A Extremely low gate charge3 Excellent output capacitance (COSS) profile21 100% avalanche testedTO-220FP Zener-protectedultra narrow leadsD(2)Applications Switching

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History: STB20NM50T4 | WML26N60C4 | NCE30P28Q | WNM07N60 | HRP90N75K | IRFR2407 | JFQM3N120E

 

 
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