STFU9N65M2 Todos los transistores

 

STFU9N65M2 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STFU9N65M2

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 6.6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 18 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.9 Ohm

Encapsulados: TO220F

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STFU9N65M2 datasheet

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STFU9N65M2

STFU9N65M2 Datasheet N-channel 650 V, 0.79 typ., 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP ultra narrow leads package Features VDS RDS(on) max. ID Order code STFU9N65M2 650 V 0.90 5 A Extremely low gate charge 3 Excellent output capacitance (COSS) profile 2 1 100% avalanche tested TO-220FP Zener-protected ultra narrow leads D(2) Applications Switching

Otros transistores... STFI15N60M2-EP , STFI9N60M2 , STFI9N80K5 , STFU10N80K5 , STFU15N80K5 , STFU16N65M2 , STFU18N65M2 , STFU23N80K5 , IRFB3607 , STH15810-2 , STH410N4F7-2AG , STH410N4F7-6AG , STH6N95K5-2 , STI100N10F7 , STI14NM50N , STI28N60M2 , STI34N65M5 .

History: TPM7002BKM

 

 

 


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