Справочник MOSFET. STFU9N65M2

 

STFU9N65M2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STFU9N65M2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 18 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.9 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для STFU9N65M2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STFU9N65M2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:457K  st
 stfu9n65m2.pdf pdf_icon

STFU9N65M2

STFU9N65M2DatasheetN-channel 650 V, 0.79 typ., 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP ultra narrow leads packageFeaturesVDS RDS(on) max. IDOrder codeSTFU9N65M2 650 V 0.90 5 A Extremely low gate charge3 Excellent output capacitance (COSS) profile21 100% avalanche testedTO-220FP Zener-protectedultra narrow leadsD(2)Applications Switching

Другие MOSFET... STFI15N60M2-EP , STFI9N60M2 , STFI9N80K5 , STFU10N80K5 , STFU15N80K5 , STFU16N65M2 , STFU18N65M2 , STFU23N80K5 , AON7506 , STH15810-2 , STH410N4F7-2AG , STH410N4F7-6AG , STH6N95K5-2 , STI100N10F7 , STI14NM50N , STI28N60M2 , STI34N65M5 .

History: TMU4N60H | CS12N06AE-G | NCE035N30G

 

 
Back to Top

 


 
.