STT6603 Todos los transistores

 

STT6603 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STT6603
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.08 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 65 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.18 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT223
     - Selección de transistores por parámetros

 

STT6603 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:185K  samhop
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STT6603

GreenProductSTT6603aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m) MaxVDSS IDRugged and reliable.180 @ VGS=-10VSOT-223 package.-60V -2.5A240 @ VGS=-4.5VDGGSSOT - 223S(TA=25C unless otherwise noted)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSS

 8.1. Size:2997K  secos
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STT6603

STT6602 N-Ch: 3.3A, 30V, RDS(ON) 65 m P-Ch: -2.3A, -30V, RDS(ON) 120 m Elektronische Bauelemente N & P-Channel Enhancement Mode Mos.FET RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen and lead-free TSOP-6 DESCRIPTION The STT6602 uses advanced trench technology to AEprovide excellent on-resistance and low gate charge. L

Otros transistores... STU03N20 , FDD3672F085 , STU03L07 , STU03L01 , FDD3680 , FDD3682F085 , STT812A , FDD3690 , 8N60 , FDD3706 , FDD3860 , STT626 , FDD390N15A , FDD3N40 , STT622S , FDD3N50NZ , FDD4141 .

History: NTMFS4925NT1G | 2SJ152 | VS3620DP-G

 

 
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