STT6603 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: STT6603  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.08 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm

Тип корпуса: SOT223

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для STT6603

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STT6603 даташит

 ..1. Size:185K  samhop
 stt6603.pdf pdf_icon

STT6603

Green Product STT6603 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). RDS(ON) (m ) Max VDSS ID Rugged and reliable. 180 @ VGS=-10V SOT-223 package. -60V -2.5A 240 @ VGS=-4.5V D G G S SOT - 223 S (TA=25 C unless otherwise noted) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS S

 8.1. Size:2997K  secos
 stt6602.pdf pdf_icon

STT6603

STT6602 N-Ch 3.3A, 30V, RDS(ON) 65 m P-Ch -2.3A, -30V, RDS(ON) 120 m Elektronische Bauelemente N & P-Channel Enhancement Mode Mos.FET RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen and lead-free TSOP-6 DESCRIPTION The STT6602 uses advanced trench technology to A E provide excellent on-resistance and low gate charge. L

Другие IGBT... STU03N20, FDD3672F085, STU03L07, STU03L01, FDD3680, FDD3682F085, STT812A, FDD3690, SKD502T, FDD3706, FDD3860, STT626, FDD390N15A, FDD3N40, STT622S, FDD3N50NZ, FDD4141