STT6603 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: STT6603
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.08 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A
Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm
Тип корпуса: SOT223
Аналог (замена) для STT6603
STT6603 Datasheet (PDF)
stt6603.pdf

GreenProductSTT6603aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m) MaxVDSS IDRugged and reliable.180 @ VGS=-10VSOT-223 package.-60V -2.5A240 @ VGS=-4.5VDGGSSOT - 223S(TA=25C unless otherwise noted)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSS
stt6602.pdf

STT6602 N-Ch: 3.3A, 30V, RDS(ON) 65 m P-Ch: -2.3A, -30V, RDS(ON) 120 m Elektronische Bauelemente N & P-Channel Enhancement Mode Mos.FET RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen and lead-free TSOP-6 DESCRIPTION The STT6602 uses advanced trench technology to AEprovide excellent on-resistance and low gate charge. L
Другие MOSFET... STU03N20 , FDD3672F085 , STU03L07 , STU03L01 , FDD3680 , FDD3682F085 , STT812A , FDD3690 , K2611 , FDD3706 , FDD3860 , STT626 , FDD390N15A , FDD3N40 , STT622S , FDD3N50NZ , FDD4141 .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SLE65R1K2E7 | SLD95R3K2GTZ | SLD90N03TB | SLD90N02TB | SLD8N65SV | SLD8N50UD | SLD80N02TB | SLD65R600E7C | SLD65R380E7C | SLD65R280E7C | SLU4N65U | SLT70R180E7C | SLT65R180E7C | SLP730S | SLP65R380E7C | SLP65R1K2E7
Popular searches
irf9630 | mj2955 | mje15030 | 2n3904 transistor | 2sd424 | 2sc828 | 2n4125 | tip42c transistor