STH410N4F7-2AG MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STH410N4F7-2AG
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 365 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 200 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 198 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3500 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0011 Ohm
Encapsulados: H2PAK-2
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STH410N4F7-2AG datasheet
sth410n4f7-2ag sth410n4f7-6ag.pdf
STH410N4F7-2AG, STH410N4F7-6AG Automotive-grade N-channel 40 V, 0.8 m typ., 200 A STripFET F7 Power MOSFETs in H PAK-2 and H PAK-6 packages Datasheet - production data Features R DS(on) Order code VDS ID PTOT max. STH410N4F7-2AG 40 V 1.1 m 200 A 365 W STH410N4F7-6AG Designed for automotive applications and AEC-Q101 qualified Among the lowest RDS(on)
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