STH410N4F7-2AG Todos los transistores

 

STH410N4F7-2AG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STH410N4F7-2AG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 365 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 200 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 198 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3500 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0011 Ohm
   Paquete / Cubierta: H2PAK-2
 

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STH410N4F7-2AG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:842K  st
 sth410n4f7-2ag sth410n4f7-6ag.pdf pdf_icon

STH410N4F7-2AG

STH410N4F7-2AG, STH410N4F7-6AG Automotive-grade N-channel 40 V, 0.8 m typ., 200 A STripFET F7 Power MOSFETs in HPAK-2 and HPAK-6 packages Datasheet - production data Features R DS(on)Order code VDS ID PTOT max. STH410N4F7-2AG 40 V 1.1 m 200 A 365 W STH410N4F7-6AG Designed for automotive applications and AEC-Q101 qualified Among the lowest RDS(on)

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History: HSM0026 | JFPC13N65C | SWF630 | SSP60R280SFD | WST3407A | R6530KNZ | HSBB4016

 

 
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