STH410N4F7-2AG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STH410N4F7-2AG
   Código: 410N4F7
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 365 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 40 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 200 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4.5 V
   Carga de la puerta (Qg): 141 nC
   Tiempo de subida (tr): 198 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 3500 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0011 Ohm
   Paquete / Cubierta: H2PAK-2

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STH410N4F7-2AG Datasheet (PDF)

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sth410n4f7-2ag sth410n4f7-6ag.pdf

STH410N4F7-2AG, STH410N4F7-6AG Automotive-grade N-channel 40 V, 0.8 m typ., 200 A STripFET F7 Power MOSFETs in HPAK-2 and HPAK-6 packages Datasheet - production data Features R DS(on)Order code VDS ID PTOT max. STH410N4F7-2AG 40 V 1.1 m 200 A 365 W STH410N4F7-6AG Designed for automotive applications and AEC-Q101 qualified Among the lowest RDS(on)

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