STH410N4F7-2AG MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STH410N4F7-2AG
Маркировка: 410N4F7
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 365 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 200 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 141 nC
trⓘ - Время нарастания: 198 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 3500 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0011 Ohm
Тип корпуса: H2PAK-2
Аналог (замена) для STH410N4F7-2AG
STH410N4F7-2AG Datasheet (PDF)
sth410n4f7-2ag sth410n4f7-6ag.pdf
STH410N4F7-2AG, STH410N4F7-6AG Automotive-grade N-channel 40 V, 0.8 m typ., 200 A STripFET F7 Power MOSFETs in HPAK-2 and HPAK-6 packages Datasheet - production data Features R DS(on)Order code VDS ID PTOT max. STH410N4F7-2AG 40 V 1.1 m 200 A 365 W STH410N4F7-6AG Designed for automotive applications and AEC-Q101 qualified Among the lowest RDS(on)
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SUN830I | SUN830F | SUN830DN | SUN830D | SUN82A20CI | SUN50A20CI | SUN09A40D | SUN05A50ZF | SUN05A50ZD | SUN05A25F | SRN1865FD | SRN1860FD | SRN1860F | SRN1665FD | SRN1660FD | SRN1660F