STH410N4F7-2AG - описание и поиск аналогов

 

STH410N4F7-2AG. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STH410N4F7-2AG

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 365 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 200 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 198 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 3500 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0011 Ohm

Тип корпуса: H2PAK-2

Аналог (замена) для STH410N4F7-2AG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STH410N4F7-2AG даташит

 ..1. Size:842K  st
 sth410n4f7-2ag sth410n4f7-6ag.pdf pdf_icon

STH410N4F7-2AG

STH410N4F7-2AG, STH410N4F7-6AG Automotive-grade N-channel 40 V, 0.8 m typ., 200 A STripFET F7 Power MOSFETs in H PAK-2 and H PAK-6 packages Datasheet - production data Features R DS(on) Order code VDS ID PTOT max. STH410N4F7-2AG 40 V 1.1 m 200 A 365 W STH410N4F7-6AG Designed for automotive applications and AEC-Q101 qualified Among the lowest RDS(on)

Другие MOSFET... STFI9N80K5 , STFU10N80K5 , STFU15N80K5 , STFU16N65M2 , STFU18N65M2 , STFU23N80K5 , STFU9N65M2 , STH15810-2 , IRF530 , STH410N4F7-6AG , STH6N95K5-2 , STI100N10F7 , STI14NM50N , STI28N60M2 , STI34N65M5 , STI6N95K5 , STL10N65M2 .

History: CM12N60AF

 

 

 

 

↑ Back to Top
.