STH6N95K5-2 Todos los transistores

 

STH6N95K5-2 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STH6N95K5-2

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 110 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 950 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 30 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.25 Ohm

Encapsulados: H2PAK-2

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STH6N95K5-2 datasheet

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STH6N95K5-2

STH6N95K5-2 N-channel 950 V, 1 typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a H PAK-2 package Datasheet - production data Features Order code V R max. I P DS DS(on) D TOT STH6N95K5-2 950 V 1.25 6 A 110 W Industry s lowest R x area DS(on) Industry s best figure of merit (FoM) Ultra low gate charge 100% avalanche tested Zener-protected Applicati

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STH6N95K5-2

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STH6N95K5-2

STH6N100 STH6N100FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STH6N100 1000 V

Otros transistores... STFU15N80K5 , STFU16N65M2 , STFU18N65M2 , STFU23N80K5 , STFU9N65M2 , STH15810-2 , STH410N4F7-2AG , STH410N4F7-6AG , NCEP15T14 , STI100N10F7 , STI14NM50N , STI28N60M2 , STI34N65M5 , STI6N95K5 , STL10N65M2 , STL130N6F7 , STL140N6F7 .

History: SRC60R075FBS | APM2305AC | SRC60R125B | BSC097N06NST | JVL102E

 

 

 

 

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