STH6N95K5-2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STH6N95K5-2
Código: 6N95K5
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 110 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 950 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 6 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 5 V
Carga de la puerta (Qg): 13 nC
Tiempo de subida (tr): 12 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 30 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 1.25 Ohm
Paquete / Cubierta: H2PAK-2
Búsqueda de reemplazo de MOSFET STH6N95K5-2
STH6N95K5-2 Datasheet (PDF)
sth6n95k5-2.pdf
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STH6N95K5-2 N-channel 950 V, 1 typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a HPAK-2 package Datasheet - production data Features Order code V R max. I P DS DS(on) D TOTSTH6N95K5-2 950 V 1.25 6 A 110 W Industrys lowest R x area DS(on) Industrys best figure of merit (FoM) Ultra low gate charge 100% avalanche tested Zener-protected Applicati
sth6n100.pdf
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STH6N100STH6N100FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTH6N100 1000 V
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