Справочник MOSFET. STH6N95K5-2

 

STH6N95K5-2 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: STH6N95K5-2
   Маркировка: 6N95K5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 110 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 950 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 13 nC
   Время нарастания (tr): 12 ns
   Выходная емкость (Cd): 30 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.25 Ohm
   Тип корпуса: H2PAK-2

 Аналог (замена) для STH6N95K5-2

 

 

STH6N95K5-2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:706K  st
sth6n95k5-2.pdf

STH6N95K5-2 STH6N95K5-2

STH6N95K5-2 N-channel 950 V, 1 typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a HPAK-2 package Datasheet - production data Features Order code V R max. I P DS DS(on) D TOTSTH6N95K5-2 950 V 1.25 6 A 110 W Industrys lowest R x area DS(on) Industrys best figure of merit (FoM) Ultra low gate charge 100% avalanche tested Zener-protected Applicati

 9.1. Size:346K  1
sth6na80 sth6na80fi.pdf

STH6N95K5-2 STH6N95K5-2

 9.2. Size:365K  st
sth6n100.pdf

STH6N95K5-2 STH6N95K5-2

STH6N100STH6N100FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTH6N100 1000 V

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top