STI34N65M5 Todos los transistores

 

STI34N65M5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STI34N65M5
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 190 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 28 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8.7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 75 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.11 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO262
 

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STI34N65M5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1424K  st
 stb34n65m5 sti34n65m5 stp34n65m5 stw34n65m5.pdf pdf_icon

STI34N65M5

STB34N65M5, STI34N65M5, STP34N65M5, STW34N65M5N-channel 650 V, 0.09 typ., 28 A MDmesh V Power MOSFETs in D2PAK, I2PAK, TO-220 and TO-247 packagesDatasheet - production dataFeatures TABTABOrder codes VDS @ TJmax RDS(on) max ID231321STB34N65M5D2PAKI2PAKSTI34N65M5710 V 0.11 28 ATABSTP34N65M5STW34N65M5 Worldwide best RDS(on) * area332

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History: AP4800GEM | SSF4004 | AP4509GM-HF | UPA1728G | HUFA75344S3 | BSC014N04LSI | AONG36322

 

 
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