STI34N65M5 Todos los transistores

 

STI34N65M5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STI34N65M5
   Código: 34N65M5
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Máxima disipación de potencia (Pd): 190 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 650 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 25 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 28 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 5 V
   Carga de la puerta (Qg): 62.5 nC
   Tiempo de subida (tr): 8.7 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 75 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.11 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO262

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STI34N65M5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1424K  st
stb34n65m5 sti34n65m5 stp34n65m5 stw34n65m5.pdf

STI34N65M5 STI34N65M5

STB34N65M5, STI34N65M5, STP34N65M5, STW34N65M5N-channel 650 V, 0.09 typ., 28 A MDmesh V Power MOSFETs in D2PAK, I2PAK, TO-220 and TO-247 packagesDatasheet - production dataFeatures TABTABOrder codes VDS @ TJmax RDS(on) max ID231321STB34N65M5D2PAKI2PAKSTI34N65M5710 V 0.11 28 ATABSTP34N65M5STW34N65M5 Worldwide best RDS(on) * area332

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History: IPI90R1K0C3

 

 
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