Справочник MOSFET. STI34N65M5

 

STI34N65M5 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STI34N65M5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 190 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8.7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm
   Тип корпуса: TO262
 

 Аналог (замена) для STI34N65M5

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STI34N65M5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1424K  st
 stb34n65m5 sti34n65m5 stp34n65m5 stw34n65m5.pdf pdf_icon

STI34N65M5

STB34N65M5, STI34N65M5, STP34N65M5, STW34N65M5N-channel 650 V, 0.09 typ., 28 A MDmesh V Power MOSFETs in D2PAK, I2PAK, TO-220 and TO-247 packagesDatasheet - production dataFeatures TABTABOrder codes VDS @ TJmax RDS(on) max ID231321STB34N65M5D2PAKI2PAKSTI34N65M5710 V 0.11 28 ATABSTP34N65M5STW34N65M5 Worldwide best RDS(on) * area332

Другие MOSFET... STFU9N65M2 , STH15810-2 , STH410N4F7-2AG , STH410N4F7-6AG , STH6N95K5-2 , STI100N10F7 , STI14NM50N , STI28N60M2 , IRFZ24N , STI6N95K5 , STL10N65M2 , STL130N6F7 , STL140N6F7 , STL33N60DM2 , STL7N60M2 , STL90N6F7 , STP10LN80K5 .

History: IRFR4104 | IRF9393

 

 
Back to Top

 


 
.