STL140N6F7 Todos los transistores

 

STL140N6F7 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STL140N6F7
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 140 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 68 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1520 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0028 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERFLAT5X6
 

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STL140N6F7 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:870K  st
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STL140N6F7

STL140N6F7DatasheetN-channel 60 V, 2.4 m typ., 140 A, STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 packageFeaturesVDS RDS(on) max. ID PTOTOrder codeSTL140N6F7 60 V 2.8 m 140 A 125 W Among the lowest RDS(on) on the market Excellent FoM (figure of merit) Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity High avalanche ruggedness Logic level VGS(th)D(5, 6, 7, 8)8 7

 7.1. Size:239K  st
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STL140N6F7

STL140N4LLF5N-channel 40 V, 0.00275 , 32 A, PowerFLAT (5x6)STripFET V Power MOSFETPreliminary dataFeaturesRDS(on) Type VDSS IDmaxSTL140N4LLF5 40 V 0.00275 32 A (1)1. The value is rated according Rthj-pcb. RDS(on) * Qg industry benchmark Extremely low on-resistance RDS(on)PowerFLAT ( 5x6 ) High avalanche ruggedness Low gate drive power loss

Otros transistores... STH6N95K5-2 , STI100N10F7 , STI14NM50N , STI28N60M2 , STI34N65M5 , STI6N95K5 , STL10N65M2 , STL130N6F7 , STF13NM60N , STL33N60DM2 , STL7N60M2 , STL90N6F7 , STP10LN80K5 , STP10N80K5 , STP110N8F7 , STP130N6F7 , STP13N60DM2 .

History: IRF8721GPBF | AOD3T40P | IPL65R650C6S | STB200N4F3 | IPI65R280E6 | IRF5806 | HY1506I

 

 
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