STL140N6F7 Todos los transistores

 

STL140N6F7 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STL140N6F7

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 140 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 68 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1520 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0028 Ohm

Encapsulados: POWERFLAT5X6

 Búsqueda de reemplazo de STL140N6F7 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

STL140N6F7 datasheet

 ..1. Size:870K  st
 stl140n6f7.pdf pdf_icon

STL140N6F7

STL140N6F7 Datasheet N-channel 60 V, 2.4 m typ., 140 A, STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package Features VDS RDS(on) max. ID PTOT Order code STL140N6F7 60 V 2.8 m 140 A 125 W Among the lowest RDS(on) on the market Excellent FoM (figure of merit) Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity High avalanche ruggedness Logic level VGS(th) D(5, 6, 7, 8) 8 7

 7.1. Size:239K  st
 stl140n4llf5.pdf pdf_icon

STL140N6F7

STL140N4LLF5 N-channel 40 V, 0.00275 , 32 A, PowerFLAT (5x6) STripFET V Power MOSFET Preliminary data Features RDS(on) Type VDSS ID max STL140N4LLF5 40 V 0.00275 32 A (1) 1. The value is rated according Rthj-pcb. RDS(on) * Qg industry benchmark Extremely low on-resistance RDS(on) PowerFLAT ( 5x6 ) High avalanche ruggedness Low gate drive power loss

Otros transistores... STH6N95K5-2 , STI100N10F7 , STI14NM50N , STI28N60M2 , STI34N65M5 , STI6N95K5 , STL10N65M2 , STL130N6F7 , IRFP250 , STL33N60DM2 , STL7N60M2 , STL90N6F7 , STP10LN80K5 , STP10N80K5 , STP110N8F7 , STP130N6F7 , STP13N60DM2 .

History: FDMS5352 | TN0106 | FDMS3604AS

 

 

 

 

↑ Back to Top
.