STL140N6F7 - аналоги и даташиты транзистора

 

STL140N6F7 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: STL140N6F7
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 140 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 68 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1520 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0028 Ohm
   Тип корпуса: POWERFLAT5X6
 

 Аналог (замена) для STL140N6F7

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STL140N6F7 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:870K  st
 stl140n6f7.pdf pdf_icon

STL140N6F7

STL140N6F7DatasheetN-channel 60 V, 2.4 m typ., 140 A, STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 packageFeaturesVDS RDS(on) max. ID PTOTOrder codeSTL140N6F7 60 V 2.8 m 140 A 125 W Among the lowest RDS(on) on the market Excellent FoM (figure of merit) Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity High avalanche ruggedness Logic level VGS(th)D(5, 6, 7, 8)8 7

 7.1. Size:239K  st
 stl140n4llf5.pdf pdf_icon

STL140N6F7

STL140N4LLF5N-channel 40 V, 0.00275 , 32 A, PowerFLAT (5x6)STripFET V Power MOSFETPreliminary dataFeaturesRDS(on) Type VDSS IDmaxSTL140N4LLF5 40 V 0.00275 32 A (1)1. The value is rated according Rthj-pcb. RDS(on) * Qg industry benchmark Extremely low on-resistance RDS(on)PowerFLAT ( 5x6 ) High avalanche ruggedness Low gate drive power loss

Другие MOSFET... STH6N95K5-2 , STI100N10F7 , STI14NM50N , STI28N60M2 , STI34N65M5 , STI6N95K5 , STL10N65M2 , STL130N6F7 , STF13NM60N , STL33N60DM2 , STL7N60M2 , STL90N6F7 , STP10LN80K5 , STP10N80K5 , STP110N8F7 , STP130N6F7 , STP13N60DM2 .

History: BLP02N08-F | AP4800GEM | NCE0102Z | WML53N65C4 | BSC100N03MSG | INJ0203AC1 | DK64N90F

 

 
Back to Top

 


 
.