Справочник MOSFET. STL140N6F7

 

STL140N6F7 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: STL140N6F7
   Маркировка: 140N6F7
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 140 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 55 nC
   trⓘ - Время нарастания: 68 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1520 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0028 Ohm
   Тип корпуса: POWERFLAT5X6

 Аналог (замена) для STL140N6F7

 

 

STL140N6F7 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:870K  st
 stl140n6f7.pdf

STL140N6F7 STL140N6F7

STL140N6F7DatasheetN-channel 60 V, 2.4 m typ., 140 A, STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 packageFeaturesVDS RDS(on) max. ID PTOTOrder codeSTL140N6F7 60 V 2.8 m 140 A 125 W Among the lowest RDS(on) on the market Excellent FoM (figure of merit) Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity High avalanche ruggedness Logic level VGS(th)D(5, 6, 7, 8)8 7

 7.1. Size:239K  st
 stl140n4llf5.pdf

STL140N6F7 STL140N6F7

STL140N4LLF5N-channel 40 V, 0.00275 , 32 A, PowerFLAT (5x6)STripFET V Power MOSFETPreliminary dataFeaturesRDS(on) Type VDSS IDmaxSTL140N4LLF5 40 V 0.00275 32 A (1)1. The value is rated according Rthj-pcb. RDS(on) * Qg industry benchmark Extremely low on-resistance RDS(on)PowerFLAT ( 5x6 ) High avalanche ruggedness Low gate drive power loss

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top