STL140N6F7 - описание и поиск аналогов

 

STL140N6F7. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STL140N6F7

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 140 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 68 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1520 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0028 Ohm

Тип корпуса: POWERFLAT5X6

Аналог (замена) для STL140N6F7

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STL140N6F7 даташит

 ..1. Size:870K  st
 stl140n6f7.pdf pdf_icon

STL140N6F7

STL140N6F7 Datasheet N-channel 60 V, 2.4 m typ., 140 A, STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package Features VDS RDS(on) max. ID PTOT Order code STL140N6F7 60 V 2.8 m 140 A 125 W Among the lowest RDS(on) on the market Excellent FoM (figure of merit) Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity High avalanche ruggedness Logic level VGS(th) D(5, 6, 7, 8) 8 7

 7.1. Size:239K  st
 stl140n4llf5.pdf pdf_icon

STL140N6F7

STL140N4LLF5 N-channel 40 V, 0.00275 , 32 A, PowerFLAT (5x6) STripFET V Power MOSFET Preliminary data Features RDS(on) Type VDSS ID max STL140N4LLF5 40 V 0.00275 32 A (1) 1. The value is rated according Rthj-pcb. RDS(on) * Qg industry benchmark Extremely low on-resistance RDS(on) PowerFLAT ( 5x6 ) High avalanche ruggedness Low gate drive power loss

Другие MOSFET... STH6N95K5-2 , STI100N10F7 , STI14NM50N , STI28N60M2 , STI34N65M5 , STI6N95K5 , STL10N65M2 , STL130N6F7 , IRFP250 , STL33N60DM2 , STL7N60M2 , STL90N6F7 , STP10LN80K5 , STP10N80K5 , STP110N8F7 , STP130N6F7 , STP13N60DM2 .

History: AP50T10AGI-HF | KI2305DS

 

 

 

 

↑ Back to Top
.