FDD3860 Todos los transistores

 

FDD3860 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDD3860
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 69 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 42 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.036 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252 DPAK
 

 Búsqueda de reemplazo de FDD3860 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

FDD3860 datasheet

 ..1. Size:330K  fairchild semi
 fdd3860.pdf pdf_icon

FDD3860

October 2008 FDD3860 tm N-Channel PowerTrench MOSFET 100V, 29A, 36m Features General Description Max rDS(on) = 36m at VGS = 10V, ID = 5.9A This N-Channel MOSFET is rugged gate version of Fairchild Semiconductor s advanced Power Trench process. This part is High performance trench technology for extremely low rDS(on) tailored for low rDS(on) and low Qg figure of merit,

 ..2. Size:337K  onsemi
 fdd3860.pdf pdf_icon

FDD3860

FDD3860 N-Channel PowerTrench MOSFET 100 V, 29 A, 36 m Features General Description Max rDS(on) = 36 m at VGS = 10 V, ID = 5.9 A This N-Channel MOSFET is rugged gate version of ON Semiconductor s advanced Power Trench process. This part is High Performance Trench Technology for Extremely Low tailored for low rDS(on) and low Qg figure of merit, with avalanche rDS(on) ru

Otros transistores... STU03L07 , STU03L01 , FDD3680 , FDD3682F085 , STT812A , FDD3690 , STT6603 , FDD3706 , 75N75 , STT626 , FDD390N15A , FDD3N40 , STT622S , FDD3N50NZ , FDD4141 , FDD4141F085 , FDD4243 .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.