FDD3860 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FDD3860
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 69 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 42 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.036 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252 DPAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET FDD3860

FDD3860 Datasheet (PDF)

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fdd3860.pdf

October 2008FDD3860tmN-Channel PowerTrench MOSFET 100V, 29A, 36mFeatures General Description Max rDS(on) = 36m at VGS = 10V, ID = 5.9A This N-Channel MOSFET is rugged gate version of Fairchild Semiconductors advanced Power Trench process. This part is High performance trench technology for extremely low rDS(on)tailored for low rDS(on) and low Qg figure of merit,

..2. Size:337K onsemi
fdd3860.pdf

FDD3860N-Channel PowerTrench MOSFET100 V, 29 A, 36 mFeaturesGeneral Description Max rDS(on) = 36 m at VGS = 10 V, ID = 5.9 AThis N-Channel MOSFET is rugged gate version of ON Semiconductors advanced Power Trench process. This part is High Performance Trench Technology for Extremely Lowtailored for low rDS(on) and low Qg figure of merit, with avalanche rDS(on)ru

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Liste

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