Справочник MOSFET. FDD3860

 

FDD3860 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDD3860
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 69 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 42 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.036 Ohm
   Тип корпуса: TO252 DPAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FDD3860 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:330K  fairchild semi
 fdd3860.pdf pdf_icon

FDD3860

October 2008FDD3860tmN-Channel PowerTrench MOSFET 100V, 29A, 36mFeatures General Description Max rDS(on) = 36m at VGS = 10V, ID = 5.9A This N-Channel MOSFET is rugged gate version of Fairchild Semiconductors advanced Power Trench process. This part is High performance trench technology for extremely low rDS(on)tailored for low rDS(on) and low Qg figure of merit,

 ..2. Size:337K  onsemi
 fdd3860.pdf pdf_icon

FDD3860

FDD3860N-Channel PowerTrench MOSFET100 V, 29 A, 36 mFeaturesGeneral Description Max rDS(on) = 36 m at VGS = 10 V, ID = 5.9 AThis N-Channel MOSFET is rugged gate version of ON Semiconductors advanced Power Trench process. This part is High Performance Trench Technology for Extremely Lowtailored for low rDS(on) and low Qg figure of merit, with avalanche rDS(on)ru

Другие MOSFET... STU03L07 , STU03L01 , FDD3680 , FDD3682F085 , STT812A , FDD3690 , STT6603 , FDD3706 , SKD502T , STT626 , FDD390N15A , FDD3N40 , STT622S , FDD3N50NZ , FDD4141 , FDD4141F085 , FDD4243 .

History: FG694301 | WMJ38N60C2 | ME7636-G | 2SK4209 | AO6804A | PNMDP100V10 | 2SK3271-01

 

 
Back to Top

 


 
.