STP36N60M6 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STP36N60M6
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 208 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 5.3 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 93 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.099 Ohm
Encapsulados: TO220
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STP36N60M6 datasheet
stp36n60m6 stw36n60m6.pdf
STP36N60M6, STW36N60M6 N-channel 600 V, 85 m typ., 30 A MDmesh M6 Power MOSFETs in TO-220 and TO-247 packages Datasheet - production data Features TAB Order code V R max. I DS DS(on) D STP36N60M6 600 V 99 m 30 A STW36N60M6 3 3 Reduced switching losses 2 2 1 Lower R x area vs previous generation DS(on) 1 Low gate input resistance 100% avalanche tested
stp36nf06l stb36nf06l.pdf
STP36NF06L STB36NF06L N-channel 60V - 0.032 - 30A - TO-220 - D2PAK STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STP36NF06L 60V
stp36n05l.pdf
STP36N05L STP36N05LFI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STP36N05L 50 V
stp36n06.pdf
STP36N06 STP36N06FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STP36N06 60 V
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History: SIR422DP-T1-GE3 | SUD50P06-15L-GE3
History: SIR422DP-T1-GE3 | SUD50P06-15L-GE3
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Liste
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