STP36N60M6 Todos los transistores

 

STP36N60M6 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STP36N60M6

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 208 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5.3 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 93 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.099 Ohm

Encapsulados: TO220

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STP36N60M6 datasheet

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STP36N60M6

STP36N60M6, STW36N60M6 N-channel 600 V, 85 m typ., 30 A MDmesh M6 Power MOSFETs in TO-220 and TO-247 packages Datasheet - production data Features TAB Order code V R max. I DS DS(on) D STP36N60M6 600 V 99 m 30 A STW36N60M6 3 3 Reduced switching losses 2 2 1 Lower R x area vs previous generation DS(on) 1 Low gate input resistance 100% avalanche tested

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STP36N60M6

STP36NF06L STB36NF06L N-channel 60V - 0.032 - 30A - TO-220 - D2PAK STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STP36NF06L 60V

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STP36N60M6

STP36N05L STP36N05LFI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STP36N05L 50 V

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STP36N60M6

STP36N06 STP36N06FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STP36N06 60 V

Otros transistores... STP18N60DM2 , STP20N60M2-EP , STP23N80K5 , STP26N60M2 , STP26N65DM2 , STP28N60DM2 , STP33N60DM2 , STP33N60DM6 , AO3400A , STP43N60DM2 , STP45N60DM6 , STP4LN80K5 , STP4N90K5 , STP6N90K5 , STP8N120K5 , STP9N80K5 , STQ1HNK60R-AP .

History: SIR422DP-T1-GE3 | SUD50P06-15L-GE3

 

 

 

 

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