STP36N60M6 - описание и поиск аналогов

 

STP36N60M6. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STP36N60M6

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5.3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 93 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.099 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для STP36N60M6

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP36N60M6 даташит

 ..1. Size:415K  st
stp36n60m6 stw36n60m6.pdfpdf_icon

STP36N60M6

STP36N60M6, STW36N60M6 N-channel 600 V, 85 m typ., 30 A MDmesh M6 Power MOSFETs in TO-220 and TO-247 packages Datasheet - production data Features TAB Order code V R max. I DS DS(on) D STP36N60M6 600 V 99 m 30 A STW36N60M6 3 3 Reduced switching losses 2 2 1 Lower R x area vs previous generation DS(on) 1 Low gate input resistance 100% avalanche tested

 8.1. Size:444K  st
stp36nf06l stb36nf06l.pdfpdf_icon

STP36N60M6

STP36NF06L STB36NF06L N-channel 60V - 0.032 - 30A - TO-220 - D2PAK STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STP36NF06L 60V

 8.2. Size:396K  st
stp36n05l.pdfpdf_icon

STP36N60M6

STP36N05L STP36N05LFI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STP36N05L 50 V

 8.3. Size:414K  st
stp36n06.pdfpdf_icon

STP36N60M6

STP36N06 STP36N06FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STP36N06 60 V

Другие MOSFET... STP18N60DM2 , STP20N60M2-EP , STP23N80K5 , STP26N60M2 , STP26N65DM2 , STP28N60DM2 , STP33N60DM2 , STP33N60DM6 , AO3400A , STP43N60DM2 , STP45N60DM6 , STP4LN80K5 , STP4N90K5 , STP6N90K5 , STP8N120K5 , STP9N80K5 , STQ1HNK60R-AP .

History: SI1011X | APM2317A | STP28N60DM2 | 2SK3225

 

 

 

 

↑ Back to Top
.