STT626 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STT626 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 143 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.027 Ohm
Encapsulados: SOT223
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STT626 datasheet
stt626.pdf
Green Product STT626 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). RDS(ON) (m ) Max VDSS ID Rugged and reliable. 60V 8A 27 @ VGS=10V Surface Mount Package. D G G S STT SERIES S SOT - 223 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25 C unless otherwise not
stt622s.pdf
Green Product STT622S a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). RDS(ON) (m ) Max VDSS ID Rugged and reliable. 76 @ VGS=10V Surface Mount Package. 4.2A 60V 100 @ VGS=4.5V D G G S STT SERIES S SOT - 223 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25
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Parámetros del MOSFET. Cómo se afectan entre sí.
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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