STT626 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: STT626
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
Cossⓘ - Выходная емкость: 143 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.027 Ohm
Тип корпуса: SOT223
STT626 Datasheet (PDF)
stt626.pdf

GreenProductSTT626aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m) MaxVDSS IDRugged and reliable.60V 8A 27 @ VGS=10VSurface Mount Package.D G GSSTT SERIESS SOT - 223ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25C unless otherwise not
stt622s.pdf

GreenProductSTT622SaS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m) MaxVDSS IDRugged and reliable.76 @ VGS=10VSurface Mount Package.4.2A60V100 @ VGS=4.5V D G GSSTT SERIESS SOT - 223ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25
Другие MOSFET... STU03L01 , FDD3680 , FDD3682F085 , STT812A , FDD3690 , STT6603 , FDD3706 , FDD3860 , RU6888R , FDD390N15A , FDD3N40 , STT622S , FDD3N50NZ , FDD4141 , FDD4141F085 , FDD4243 , FDD4243F085 .
History: RU3582R | HFD2N65S



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: P80NF70 | MPT65N08S | MPT65N08 | MPT045N08S | MPT045N08P | MPT042N10S | MPT042N10P | MPT037N08S | MPT037N08P | MPT028N10S | MPG55N06P | MPG50N06P | MPG40P10P | MPG30P10P | MPG160N04P | MPS100N06
Popular searches
2n3904 transistor | 2sd424 | 2sc828 | 2n4125 | tip42c transistor | c1815 transistor datasheet | mj15003 | 2sa1015