STT626 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: STT626 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
Электрические характеристики
Cossⓘ - Выходная емкость: 143 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.027 Ohm
Тип корпуса: SOT223
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для STT626
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
STT626 даташит
stt626.pdf
Green Product STT626 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). RDS(ON) (m ) Max VDSS ID Rugged and reliable. 60V 8A 27 @ VGS=10V Surface Mount Package. D G G S STT SERIES S SOT - 223 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25 C unless otherwise not
stt622s.pdf
Green Product STT622S a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). RDS(ON) (m ) Max VDSS ID Rugged and reliable. 76 @ VGS=10V Surface Mount Package. 4.2A 60V 100 @ VGS=4.5V D G G S STT SERIES S SOT - 223 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25
Другие IGBT... STU03L01, FDD3680, FDD3682F085, STT812A, FDD3690, STT6603, FDD3706, FDD3860, 60N06, FDD390N15A, FDD3N40, STT622S, FDD3N50NZ, FDD4141, FDD4141F085, FDD4243, FDD4243F085
Параметры MOSFET. Взаимосвязь и компромиссы
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: CEZC2P07 | CEZ2R05 | CEU3133 | CES2361 | CES2312A | CEP100N10L | CEM3425 | CEM3139 | CEM3133 | CEM3115 | CED3133 | CEC3257 | CEC2533 | CEB100N10L | BC3134KT | BC3134K
Popular searches
2n3904 transistor | 2sd424 | 2sc828 | 2n4125 | tip42c transistor | c1815 transistor datasheet | mj15003 | 2sa1015


