STP4LN80K5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STP4LN80K5
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 11 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.6 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de STP4LN80K5 MOSFET
STP4LN80K5 Datasheet (PDF)
stp4ln80k5.pdf

STP4LN80K5 N-channel 800 V, 2.1 typ.,3 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package Datasheet - production data Features Order code V R max. I DS DS(on) DSTP4LN80K5 800 V 2.6 3 A Industrys lowest R * area DS(on) Industrys best figure of merit (FoM) Ultra low-gate charge 100% avalanche tested Zener-protected Applications Switc
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History: WMO100N07T1 | IRFZ48NSPBF | AUIRF2804S-7P | IPP147N12N3 | JFPC11N50C | WMM07N100C2 | SJMN600R65D
History: WMO100N07T1 | IRFZ48NSPBF | AUIRF2804S-7P | IPP147N12N3 | JFPC11N50C | WMM07N100C2 | SJMN600R65D



Liste
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