STP4LN80K5 Todos los transistores

 

STP4LN80K5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STP4LN80K5
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 11 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.6 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

STP4LN80K5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:714K  st
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STP4LN80K5

STP4LN80K5 N-channel 800 V, 2.1 typ.,3 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package Datasheet - production data Features Order code V R max. I DS DS(on) DSTP4LN80K5 800 V 2.6 3 A Industrys lowest R * area DS(on) Industrys best figure of merit (FoM) Ultra low-gate charge 100% avalanche tested Zener-protected Applications Switc

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