STP4LN80K5 - описание и поиск аналогов

 

STP4LN80K5. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STP4LN80K5

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 11 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.6 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для STP4LN80K5

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP4LN80K5 даташит

 ..1. Size:714K  st
 stp4ln80k5.pdf pdf_icon

STP4LN80K5

STP4LN80K5 N-channel 800 V, 2.1 typ.,3 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package Datasheet - production data Features Order code V R max. I DS DS(on) D STP4LN80K5 800 V 2.6 3 A Industry s lowest R * area DS(on) Industry s best figure of merit (FoM) Ultra low-gate charge 100% avalanche tested Zener-protected Applications Switc

Другие MOSFET... STP26N60M2 , STP26N65DM2 , STP28N60DM2 , STP33N60DM2 , STP33N60DM6 , STP36N60M6 , STP43N60DM2 , STP45N60DM6 , IRF1405 , STP4N90K5 , STP6N90K5 , STP8N120K5 , STP9N80K5 , STQ1HNK60R-AP , STS8DN6LF6AG , STU5N95K5 , STU6N60DM2 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.