STP4LN80K5 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STP4LN80K5
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 60 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 800 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 9 ns
Выходная емкость (Cd): 11 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 2.6 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для STP4LN80K5
STP4LN80K5 Datasheet (PDF)
..1. Size:714K st
stp4ln80k5.pdf
stp4ln80k5.pdf
STP4LN80K5 N-channel 800 V, 2.1 typ.,3 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package Datasheet - production data Features Order code V R max. I DS DS(on) DSTP4LN80K5 800 V 2.6 3 A Industrys lowest R * area DS(on) Industrys best figure of merit (FoM) Ultra low-gate charge 100% avalanche tested Zener-protected Applications Switc
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
