STP4LN80K5 - аналоги и даташиты транзистора

 

STP4LN80K5 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: STP4LN80K5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 11 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.6 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для STP4LN80K5

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP4LN80K5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:714K  st
 stp4ln80k5.pdf pdf_icon

STP4LN80K5

STP4LN80K5 N-channel 800 V, 2.1 typ.,3 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package Datasheet - production data Features Order code V R max. I DS DS(on) DSTP4LN80K5 800 V 2.6 3 A Industrys lowest R * area DS(on) Industrys best figure of merit (FoM) Ultra low-gate charge 100% avalanche tested Zener-protected Applications Switc

Другие MOSFET... STP26N60M2 , STP26N65DM2 , STP28N60DM2 , STP33N60DM2 , STP33N60DM6 , STP36N60M6 , STP43N60DM2 , STP45N60DM6 , IRF1405 , STP4N90K5 , STP6N90K5 , STP8N120K5 , STP9N80K5 , STQ1HNK60R-AP , STS8DN6LF6AG , STU5N95K5 , STU6N60DM2 .

History: STP33N60DM6 | AP2320GN | SED8830 | STP8N120K5 | R6004KNJ | JCS12N65CT | STP4N90K5

 

 
Back to Top

 


 
.