Справочник MOSFET. STP4LN80K5

 

STP4LN80K5 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STP4LN80K5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 11 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.6 Ohm
   Тип корпуса: TO220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

STP4LN80K5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:714K  st
 stp4ln80k5.pdf pdf_icon

STP4LN80K5

STP4LN80K5 N-channel 800 V, 2.1 typ.,3 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package Datasheet - production data Features Order code V R max. I DS DS(on) DSTP4LN80K5 800 V 2.6 3 A Industrys lowest R * area DS(on) Industrys best figure of merit (FoM) Ultra low-gate charge 100% avalanche tested Zener-protected Applications Switc

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: SE4060 | ZXMN0545G4 | IPA600N25NM3S

 

 
Back to Top

 


 
.