STQ1HNK60R-AP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STQ1HNK60R-AP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 23.5 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 8.5 Ohm

Encapsulados: TO92

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STQ1HNK60R-AP datasheet

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STQ1HNK60R-AP

STN1HNK60, STQ1HNK60R-AP Datasheet N-channel 600 V, 7.3 typ., 0.4 A SuperMESH Power MOSFETs in a SOT-223 and TO-92 packages 4 Features 23 1 VDS RDS(on) max. ID Order code Package SOT-223 STN1HNK60 SOT-223 600 V 8.5 0.4 A STQ1HNK60R-AP TO-92 Extremely high dv/dt capability 100% avalanche tested 3 2 Gate charge minimized 1 TO-92 (Ammopack) D(2, 4) Appli

 4.1. Size:424K  st
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STQ1HNK60R-AP

STD1NK60 - STD1NK60-1 STQ1HNK60R - STN1HNK60 N-CHANNEL 600V - 8 - 1A DPAK/TO-92/IPAK/SOT-223 SuperMESH MOSFET Table 1 General Features Figure 1 Package TYPE VDSS RDS(on) ID Pw STD1NK60 600 V

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 std1nk60-1 std1nk60t4 std1nk60 std1nk60-1 stq1hnk60r stn1hnk60.pdf pdf_icon

STQ1HNK60R-AP

STD1NK60 - STD1NK60-1 STQ1HNK60R - STN1HNK60 N-CHANNEL 600V - 8 - 1A DPAK/TO-92/IPAK/SOT-223 SuperMESH MOSFET Table 1 General Features Figure 1 Package TYPE VDSS RDS(on) ID Pw STD1NK60 600 V

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STQ1HNK60R-AP

STQ1HN60K3-AP N-channel 600 V, 6.7 typ., 0.4 A SuperMESH3 Power MOSFET in a TO-92 package Datasheet - production data Features RDS(on) Order code VDS max ID PTOT STQ1HN60K3-AP 600 V 8 0.4 A 3 W 100% avalanche tested 3 2 Extremely high dv/dt capability 1 Gate charge minimized TO-92 Very low intrinsic capacitance Improved diode reverse recovery cha

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