STQ1HNK60R-AP Todos los transistores

 

STQ1HNK60R-AP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STQ1HNK60R-AP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Máxima disipación de potencia (Pd): 3 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 600 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 0.4 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3.7 V
   Carga de la puerta (Qg): 7 nC
   Tiempo de subida (tr): 5 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 23.5 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 8.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO92

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STQ1HNK60R-AP Datasheet (PDF)

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STQ1HNK60R-AP
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STN1HNK60, STQ1HNK60R-APDatasheetN-channel 600 V, 7.3 typ., 0.4 A SuperMESH Power MOSFETs in a SOT-223 and TO-92 packages4 Features231VDS RDS(on) max. IDOrder code PackageSOT-223STN1HNK60 SOT-223600 V 8.5 0.4 ASTQ1HNK60R-AP TO-92 Extremely high dv/dt capability 100% avalanche tested32 Gate charge minimized1TO-92 (Ammopack)D(2, 4)Appli

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STQ1HNK60R-AP
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STD1NK60 - STD1NK60-1STQ1HNK60R - STN1HNK60N-CHANNEL 600V - 8 - 1A DPAK/TO-92/IPAK/SOT-223SuperMESH MOSFETTable 1: General Features Figure 1: PackageTYPE VDSS RDS(on) ID PwSTD1NK60 600 V

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std1nk60-1 std1nk60t4 std1nk60 std1nk60-1 stq1hnk60r stn1hnk60.pdf

STQ1HNK60R-AP
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STD1NK60 - STD1NK60-1STQ1HNK60R - STN1HNK60N-CHANNEL 600V - 8 - 1A DPAK/TO-92/IPAK/SOT-223SuperMESH MOSFETTable 1: General Features Figure 1: PackageTYPE VDSS RDS(on) ID PwSTD1NK60 600 V

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stq1hn60k3-ap.pdf

STQ1HNK60R-AP
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STQ1HN60K3-APN-channel 600 V, 6.7 typ., 0.4 A SuperMESH3 Power MOSFET in a TO-92 packageDatasheet - production dataFeaturesRDS(on) Order code VDS max ID PTOTSTQ1HN60K3-AP 600 V 8 0.4 A 3 W 100% avalanche tested32 Extremely high dv/dt capability1 Gate charge minimizedTO-92 Very low intrinsic capacitance Improved diode reverse recovery cha

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STQ1HNK60R-AP
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STQ1HNC60N-CHANNEL 600V - 7 - 0.4A TO-92PowerMeshII MOSFETPRELIMINARY DATATYPE VDSS RDS(on) IDSTQ1HNC60 600 V

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
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