STQ1HNK60R-AP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STQ1HNK60R-AP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 23.5 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 8.5 Ohm
Paquete / Cubierta: TO92
Búsqueda de reemplazo de STQ1HNK60R-AP MOSFET
STQ1HNK60R-AP Datasheet (PDF)
stn1hnk60 stq1hnk60r-ap.pdf

STN1HNK60, STQ1HNK60R-APDatasheetN-channel 600 V, 7.3 typ., 0.4 A SuperMESH Power MOSFETs in a SOT-223 and TO-92 packages4 Features231VDS RDS(on) max. IDOrder code PackageSOT-223STN1HNK60 SOT-223600 V 8.5 0.4 ASTQ1HNK60R-AP TO-92 Extremely high dv/dt capability 100% avalanche tested32 Gate charge minimized1TO-92 (Ammopack)D(2, 4)Appli
std1nk60 std1nk60-1 stq1hnk60r stn1hnk60.pdf

STD1NK60 - STD1NK60-1STQ1HNK60R - STN1HNK60N-CHANNEL 600V - 8 - 1A DPAK/TO-92/IPAK/SOT-223SuperMESH MOSFETTable 1: General Features Figure 1: PackageTYPE VDSS RDS(on) ID PwSTD1NK60 600 V
std1nk60-1 std1nk60t4 std1nk60 std1nk60-1 stq1hnk60r stn1hnk60.pdf

STD1NK60 - STD1NK60-1STQ1HNK60R - STN1HNK60N-CHANNEL 600V - 8 - 1A DPAK/TO-92/IPAK/SOT-223SuperMESH MOSFETTable 1: General Features Figure 1: PackageTYPE VDSS RDS(on) ID PwSTD1NK60 600 V
stq1hn60k3-ap.pdf

STQ1HN60K3-APN-channel 600 V, 6.7 typ., 0.4 A SuperMESH3 Power MOSFET in a TO-92 packageDatasheet - production dataFeaturesRDS(on) Order code VDS max ID PTOTSTQ1HN60K3-AP 600 V 8 0.4 A 3 W 100% avalanche tested32 Extremely high dv/dt capability1 Gate charge minimizedTO-92 Very low intrinsic capacitance Improved diode reverse recovery cha
Otros transistores... STP36N60M6 , STP43N60DM2 , STP45N60DM6 , STP4LN80K5 , STP4N90K5 , STP6N90K5 , STP8N120K5 , STP9N80K5 , EMB04N03H , STS8DN6LF6AG , STU5N95K5 , STU6N60DM2 , STW20N90K5 , STW20N95DK5 , STW25N60M2-EP , STW26N60M2 , STW28N60DM2 .
History: NTTFS4941NTAG | IPP052N06L3 | VP2206N2 | AOT2502L | AP2P028EM | SRT10N230HD56 | IRF7799L2
History: NTTFS4941NTAG | IPP052N06L3 | VP2206N2 | AOT2502L | AP2P028EM | SRT10N230HD56 | IRF7799L2



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
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