STQ1HNK60R-AP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STQ1HNK60R-AP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.7 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.4 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 7 nC
Время нарастания (tr): 5 ns
Выходная емкость (Cd): 23.5 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 8.5 Ohm
Тип корпуса: TO92
Аналог (замена) для STQ1HNK60R-AP
STQ1HNK60R-AP Datasheet (PDF)
stn1hnk60 stq1hnk60r-ap.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
STN1HNK60, STQ1HNK60R-APDatasheetN-channel 600 V, 7.3 typ., 0.4 A SuperMESH Power MOSFETs in a SOT-223 and TO-92 packages4 Features231VDS RDS(on) max. IDOrder code PackageSOT-223STN1HNK60 SOT-223600 V 8.5 0.4 ASTQ1HNK60R-AP TO-92 Extremely high dv/dt capability 100% avalanche tested32 Gate charge minimized1TO-92 (Ammopack)D(2, 4)Appli
std1nk60 std1nk60-1 stq1hnk60r stn1hnk60.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
STD1NK60 - STD1NK60-1STQ1HNK60R - STN1HNK60N-CHANNEL 600V - 8 - 1A DPAK/TO-92/IPAK/SOT-223SuperMESH MOSFETTable 1: General Features Figure 1: PackageTYPE VDSS RDS(on) ID PwSTD1NK60 600 V
std1nk60-1 std1nk60t4 std1nk60 std1nk60-1 stq1hnk60r stn1hnk60.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
STD1NK60 - STD1NK60-1STQ1HNK60R - STN1HNK60N-CHANNEL 600V - 8 - 1A DPAK/TO-92/IPAK/SOT-223SuperMESH MOSFETTable 1: General Features Figure 1: PackageTYPE VDSS RDS(on) ID PwSTD1NK60 600 V
stq1hn60k3-ap.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
STQ1HN60K3-APN-channel 600 V, 6.7 typ., 0.4 A SuperMESH3 Power MOSFET in a TO-92 packageDatasheet - production dataFeaturesRDS(on) Order code VDS max ID PTOTSTQ1HN60K3-AP 600 V 8 0.4 A 3 W 100% avalanche tested32 Extremely high dv/dt capability1 Gate charge minimizedTO-92 Very low intrinsic capacitance Improved diode reverse recovery cha
stq1hnc60.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
STQ1HNC60N-CHANNEL 600V - 7 - 0.4A TO-92PowerMeshII MOSFETPRELIMINARY DATATYPE VDSS RDS(on) IDSTQ1HNC60 600 V
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .