STS8DN6LF6AG Todos los transistores

 

STS8DN6LF6AG MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STS8DN6LF6AG

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.024 Ohm

Encapsulados: SO8

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STS8DN6LF6AG datasheet

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STS8DN6LF6AG

STS8DN6LF6AG Automotive-grade dual N-channel 60 V, 21 m typ., 8 A STripFET F6 Power MOSFET in a SO-8 package Datasheet - production data Features Order code V R max. I P DS DS(on) D TOT STS8DN6LF6AG 60 V 24 m 8 A 3.2 W AEC-Q101 qualified Very low on-resistance Very low gate charge High avalanche ruggedness Low gate drive power loss Logic l

 8.1. Size:326K  st
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STS8DN6LF6AG

STS8DNH3LL Dual n-channel 30 V - 0.018 - 8 A - SO-8 low gate charge STripFET III Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) max ID STS8DNH3LL 30 V

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STS8DN6LF6AG

STS8DN3LLH5 Dual N-channel 30 V, 0.0155 , 10 A, SO-8 STripFET V Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID max STS8DN3LLH5 30 V

 8.3. Size:314K  st
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STS8DN6LF6AG

STS8DNF3LL Dual N-channel 30V - 0.017 - 8A SO-8 Low gate charge STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STS8DNF3LL 30V

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History: SM1A08NSU | ST2341S23R | VS6880AT | NCE60H10F | FX50KMJ-03 | 4N60KL-TF1-T | IRF7309Q

 

 

 

 

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