STS8DN6LF6AG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STS8DN6LF6AG
Código: 8DN6LF6
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 3.2 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 8 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
Carga de la puerta (Qg): 27 nC
Tiempo de subida (tr): 20 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 90 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.024 Ohm
Paquete / Cubierta: SO8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET STS8DN6LF6AG
STS8DN6LF6AG Datasheet (PDF)
sts8dn6lf6ag.pdf
STS8DN6LF6AG Automotive-grade dual N-channel 60 V, 21 m typ., 8 A STripFET F6 Power MOSFET in a SO-8 package Datasheet - production data Features Order code V R max. I P DS DS(on) D TOTSTS8DN6LF6AG 60 V 24 m 8 A 3.2 W AEC-Q101 qualified Very low on-resistance Very low gate charge High avalanche ruggedness Low gate drive power loss Logic l
sts8dnh3ll.pdf
STS8DNH3LLDual n-channel 30 V - 0.018 - 8 A - SO-8low gate charge STripFET III Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) max IDSTS8DNH3LL 30 V
sts8dn3llh5.pdf
STS8DN3LLH5Dual N-channel 30 V, 0.0155 , 10 A, SO-8STripFET V Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS IDmaxSTS8DN3LLH5 30 V
sts8dnf3ll.pdf
STS8DNF3LLDual N-channel 30V - 0.017 - 8A SO-8Low gate charge STripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTS8DNF3LL 30V
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