Справочник MOSFET. STS8DN6LF6AG

 

STS8DN6LF6AG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STS8DN6LF6AG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для STS8DN6LF6AG

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STS8DN6LF6AG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:706K  st
 sts8dn6lf6ag.pdf pdf_icon

STS8DN6LF6AG

STS8DN6LF6AG Automotive-grade dual N-channel 60 V, 21 m typ., 8 A STripFET F6 Power MOSFET in a SO-8 package Datasheet - production data Features Order code V R max. I P DS DS(on) D TOTSTS8DN6LF6AG 60 V 24 m 8 A 3.2 W AEC-Q101 qualified Very low on-resistance Very low gate charge High avalanche ruggedness Low gate drive power loss Logic l

 8.1. Size:326K  st
 sts8dnh3ll.pdf pdf_icon

STS8DN6LF6AG

STS8DNH3LLDual n-channel 30 V - 0.018 - 8 A - SO-8low gate charge STripFET III Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) max IDSTS8DNH3LL 30 V

 8.2. Size:772K  st
 sts8dn3llh5.pdf pdf_icon

STS8DN6LF6AG

STS8DN3LLH5Dual N-channel 30 V, 0.0155 , 10 A, SO-8STripFET V Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS IDmaxSTS8DN3LLH5 30 V

 8.3. Size:314K  st
 sts8dnf3ll.pdf pdf_icon

STS8DN6LF6AG

STS8DNF3LLDual N-channel 30V - 0.017 - 8A SO-8Low gate charge STripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTS8DNF3LL 30V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... STP43N60DM2 , STP45N60DM6 , STP4LN80K5 , STP4N90K5 , STP6N90K5 , STP8N120K5 , STP9N80K5 , STQ1HNK60R-AP , AON7403 , STU5N95K5 , STU6N60DM2 , STW20N90K5 , STW20N95DK5 , STW25N60M2-EP , STW26N60M2 , STW28N60DM2 , STW33N60DM2 .

History: NDP7061

 

 
Back to Top

 


 
.