STW26N60M2 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

STW26N60M2 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STW26N60M2

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 169 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 88 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.165 Ohm

Encapsulados: TO247

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STW26N60M2 datasheet

..1. Size:800K st
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STP26N60M2, STW26N60M2 N-channel 600 V, 0.14 typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFETs in TO-220 and TO-247 packages Datasheet - production data Features TAB V @ R DS DS(on) Order code I P D TOT T max. Jmax STP26N60M2 650 V 0.165 20 A 169 W STW26N60M2 3 3 2 2 1 Extremely low gate charge 1 Excellent output capacitance (C ) profile OSS 100% avala

8.1. Size:263K st
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STW26NM60 N-CHANNEL 600V - 0.125 - 30A TO-247 MDmesh MOSFET Table 1 General Features Figure 1 Package TYPE VDSS RDS(on) ID STW26NM60 600 V

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stb26nm60n stf26nm60n stp26nm60n stw26nm60n.pdf pdf_icon

STB26NM60N, STF26NM60N STP26NM60N, STW26NM60N N-channel 600 V, 0.135 , 20 A MDmesh II Power MOSFET D2PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247 Features RDS(on) Type VDSS ID max 3 2 3 1 2 STB26NM60N 600 V

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STW26NM60N N-channel 600 V, 0.135 typ., 20 A MDmesh II Power MOSFET in a TO-247 package Datasheet - production data Features Order code V R max I DS DS(on) D STW26NM60N 600 V 0.165 20 A 100% avalanche tested Low input capacitance and gate charge 3 Low gate input resistance 2 1 Applications Switching applications TO-247 Description Figure 1

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