Справочник MOSFET. STW26N60M2

 

STW26N60M2 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: STW26N60M2
   Маркировка: 26N60M2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 169 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 20 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 34 nC
   Время нарастания (tr): 8 ns
   Выходная емкость (Cd): 88 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.165 Ohm
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для STW26N60M2

 

 

STW26N60M2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:800K  st
stp26n60m2 stw26n60m2.pdf

STW26N60M2
STW26N60M2

STP26N60M2, STW26N60M2 N-channel 600 V, 0.14 typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFETs in TO-220 and TO-247 packages Datasheet - production data Features TABV @ R DS DS(on)Order code I P D TOTT max. JmaxSTP26N60M2 650 V 0.165 20 A 169 W STW26N60M2 33221 Extremely low gate charge 1 Excellent output capacitance (C ) profile OSS 100% avala

 8.1. Size:263K  st
stw26nm60.pdf

STW26N60M2
STW26N60M2

STW26NM60N-CHANNEL 600V - 0.125 - 30A TO-247MDmesh MOSFETTable 1: General Features Figure 1: PackageTYPE VDSS RDS(on) IDSTW26NM60 600 V

 8.2. Size:1134K  st
stb26nm60n stf26nm60n stp26nm60n stw26nm60n.pdf

STW26N60M2
STW26N60M2

STB26NM60N, STF26NM60NSTP26NM60N, STW26NM60NN-channel 600 V, 0.135 , 20 A MDmesh II Power MOSFETD2PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247FeaturesRDS(on) Type VDSS IDmax32312STB26NM60N 600 V

 8.3. Size:781K  st
stw26nm60n.pdf

STW26N60M2
STW26N60M2

STW26NM60N N-channel 600 V, 0.135 typ., 20 A MDmesh II Power MOSFET in a TO-247 package Datasheet - production data Features Order code V R max I DS DS(on) DSTW26NM60N 600 V 0.165 20 A 100% avalanche tested Low input capacitance and gate charge 3 Low gate input resistance 21Applications Switching applications TO-247Description Figure 1

 8.4. Size:562K  st
stw26nm50.pdf

STW26N60M2
STW26N60M2

STW26NM50N-channel 500 V, 0.10 , 30 A TO-247MDmesh Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS IDmaxSTW26NM50 500 V

 8.5. Size:1344K  st
stb26nm60nd stf26nm60nd stp26nm60nd stw26nm60nd.pdf

STW26N60M2
STW26N60M2

STB26NM60ND, STF26NM60ND, STP26NM60ND, STW26NM60NDN-channel 600 V, 0.145 typ., 21 A, FDmesh II Power MOSFETs in DPAK, TO-220FP, TO-220 and TO-247 packagesDatasheet - production dataFeaturesTABOrder codes VDS @ Tjmax RDS(on) max ID31STB26NM60ND23D PAK21 STF26NM60ND650 V 0.175 21 ATO-220FPSTP26NM60NDTABSTW26NM60ND 100% avalanche tested3 32

 8.6. Size:261K  inchange semiconductor
stw26nm50.pdf

STW26N60M2
STW26N60M2

isc N-Channel MOSFET Transistor STW26NM50FEATURESWith TO-247 packagingWith low gate drive requirementsEasy to drive100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 500 VDSSV Gat

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top