STW50N65DM2AG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STW50N65DM2AG
Código: 50N65DM2
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 38 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 69 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 130 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.087 Ohm
Paquete / Cubierta: TO247-4
Búsqueda de reemplazo de MOSFET STW50N65DM2AG
STW50N65DM2AG Datasheet (PDF)
stw50n65dm2ag.pdf
STW50N65DM2AG Automotive-grade N-channel 650 V, 0.070 typ., 38 A Power MOSFET MDmesh DM2 in a TO-247 package Datasheet - production data Features R DS(on)Order code V I P DS D TOTmax. STW50N65DM2AG 650 V 0.087 38 A 300 W AEC-Q101 qualified 3 Fast-recovery body diode 2 Extremely low gate charge and input 1capacitance Low on-resistance
stw50nb20.pdf
STW50NB20N - CHANNEL 200V - 0.047 - 50A - TO-247PowerMESH MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTW50NB20 200 V
stw50n10.pdf
STW50N10N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTW50N10 100 V
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