STW50N65DM2AG Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STW50N65DM2AG  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 38 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 130 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.087 Ohm

Encapsulados: TO247-4

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STW50N65DM2AG datasheet

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STW50N65DM2AG

STW50N65DM2AG Automotive-grade N-channel 650 V, 0.070 typ., 38 A Power MOSFET MDmesh DM2 in a TO-247 package Datasheet - production data Features R DS(on) Order code V I P DS D TOT max. STW50N65DM2AG 650 V 0.087 38 A 300 W AEC-Q101 qualified 3 Fast-recovery body diode 2 Extremely low gate charge and input 1 capacitance Low on-resistance

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STW50N65DM2AG

STW50NB20 N - CHANNEL 200V - 0.047 - 50A - TO-247 PowerMESH MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STW50NB20 200 V

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STW50N65DM2AG

STW50N10 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STW50N10 100 V

Otros transistores... STW37N60DM2AG, STW40N90K5, STW43N60DM2, STW45N60DM2AG, STW45N60DM6, STW48N60DM2, STW48N60M6, STW48N60M6-4, IRF540N, STW56N65DM2, STW63N65DM2, STW65N65DM2AG, STW65N80K5, STW70N60DM2, STW70N60DM6-4, STW70N65M2, STW74NF30