STW50N65DM2AG - описание и поиск аналогов

 

STW50N65DM2AG. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STW50N65DM2AG

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 38 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.087 Ohm

Тип корпуса: TO247-4

Аналог (замена) для STW50N65DM2AG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STW50N65DM2AG даташит

 ..1. Size:712K  st
 stw50n65dm2ag.pdf pdf_icon

STW50N65DM2AG

STW50N65DM2AG Automotive-grade N-channel 650 V, 0.070 typ., 38 A Power MOSFET MDmesh DM2 in a TO-247 package Datasheet - production data Features R DS(on) Order code V I P DS D TOT max. STW50N65DM2AG 650 V 0.087 38 A 300 W AEC-Q101 qualified 3 Fast-recovery body diode 2 Extremely low gate charge and input 1 capacitance Low on-resistance

 8.1. Size:195K  st
 stw50nb20.pdf pdf_icon

STW50N65DM2AG

STW50NB20 N - CHANNEL 200V - 0.047 - 50A - TO-247 PowerMESH MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STW50NB20 200 V

 8.2. Size:307K  st
 stw50n10.pdf pdf_icon

STW50N65DM2AG

STW50N10 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STW50N10 100 V

Другие MOSFET... STW37N60DM2AG , STW40N90K5 , STW43N60DM2 , STW45N60DM2AG , STW45N60DM6 , STW48N60DM2 , STW48N60M6 , STW48N60M6-4 , 50N06 , STW56N65DM2 , STW63N65DM2 , STW65N65DM2AG , STW65N80K5 , STW70N60DM2 , STW70N60DM6-4 , STW70N65M2 , STW74NF30 .

History: 2SK3572-Z | SM6129NSU | SI2301CDS-T1 | FTA04N65 | MTP15N05L

 

 

 

 

↑ Back to Top
.