STW50N65DM2AG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: STW50N65DM2AG
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 38 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.087 Ohm
Тип корпуса: TO247-4
Аналог (замена) для STW50N65DM2AG
STW50N65DM2AG Datasheet (PDF)
stw50n65dm2ag.pdf
STW50N65DM2AG Automotive-grade N-channel 650 V, 0.070 typ., 38 A Power MOSFET MDmesh DM2 in a TO-247 package Datasheet - production data Features R DS(on)Order code V I P DS D TOTmax. STW50N65DM2AG 650 V 0.087 38 A 300 W AEC-Q101 qualified 3 Fast-recovery body diode 2 Extremely low gate charge and input 1capacitance Low on-resistance
stw50nb20.pdf
STW50NB20N - CHANNEL 200V - 0.047 - 50A - TO-247PowerMESH MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTW50NB20 200 V
stw50n10.pdf
STW50N10N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTW50N10 100 V
Другие MOSFET... STW37N60DM2AG , STW40N90K5 , STW43N60DM2 , STW45N60DM2AG , STW45N60DM6 , STW48N60DM2 , STW48N60M6 , STW48N60M6-4 , 50N06 , STW56N65DM2 , STW63N65DM2 , STW65N65DM2AG , STW65N80K5 , STW70N60DM2 , STW70N60DM6-4 , STW70N65M2 , STW74NF30 .
History: AONP38324U | GSM1023
History: AONP38324U | GSM1023
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
2sd315 | a1013 | 2sb554 | 2sd2560 | 2sc2078 transistor | bc558 datasheet | p75nf75 mosfet | ao4407a