STW65N80K5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STW65N80K5
Código: 65N80K5
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 446 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 800 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 46 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 5 V
Carga de la puerta (Qg): 92 nC
Tiempo de subida (tr): 30 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 310 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.08 Ohm
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de MOSFET STW65N80K5
STW65N80K5 Datasheet (PDF)
stw65n80k5.pdf
STW65N80K5 N-channel 800 V, 0.07 typ., 46 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package Datasheet - production data Features Order code V R max. I P DS DS(on) D TOTSTW65N80K5 800 V 0.08 46 A 446 W Industrys lowest R x area DS(on) Industrys best figure of merit (FoM) 3 Ultra low gate charge 2 100% avalanche tested 1 Zener-protected
stw65n65dm2ag.pdf
STW65N65DM2AG Automotive-grade N-channel 650 V, 0.042 typ., 60 A Power MOSFET MDmesh DM2 in a TO-247 package Datasheet - production data Features R DS(on)Order code V I P DS D TOTmax. STW65N65DM2AG 650 V 0.05 60 A 446 W Designed for automotive applications and 3AEC-Q101 qualified 2 Fast-recovery body diode 1 Extremely low gate charge and inpu
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