STW65N80K5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STW65N80K5
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 446 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 46 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 310 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.08 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STW65N80K5

STW65N80K5 Datasheet (PDF)

..1. Size:707K st
stw65n80k5.pdf

STW65N80K5 N-channel 800 V, 0.07 typ., 46 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package Datasheet - production data Features Order code V R max. I P DS DS(on) D TOTSTW65N80K5 800 V 0.08 46 A 446 W Industrys lowest R x area DS(on) Industrys best figure of merit (FoM) 3 Ultra low gate charge 2 100% avalanche tested 1 Zener-protected

8.1. Size:389K st
stw65n65dm2ag.pdf

STW65N65DM2AG Automotive-grade N-channel 650 V, 0.042 typ., 60 A Power MOSFET MDmesh DM2 in a TO-247 package Datasheet - production data Features R DS(on)Order code V I P DS D TOTmax. STW65N65DM2AG 650 V 0.05 60 A 446 W Designed for automotive applications and 3AEC-Q101 qualified 2 Fast-recovery body diode 1 Extremely low gate charge and inpu

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History: STP15NM65N

Liste

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