STW65N80K5 Todos los transistores

 

STW65N80K5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STW65N80K5
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 446 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 46 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 310 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.08 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247
 

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STW65N80K5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:707K  st
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STW65N80K5

STW65N80K5 N-channel 800 V, 0.07 typ., 46 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package Datasheet - production data Features Order code V R max. I P DS DS(on) D TOTSTW65N80K5 800 V 0.08 46 A 446 W Industrys lowest R x area DS(on) Industrys best figure of merit (FoM) 3 Ultra low gate charge 2 100% avalanche tested 1 Zener-protected

 8.1. Size:389K  st
 stw65n65dm2ag.pdf pdf_icon

STW65N80K5

STW65N65DM2AG Automotive-grade N-channel 650 V, 0.042 typ., 60 A Power MOSFET MDmesh DM2 in a TO-247 package Datasheet - production data Features R DS(on)Order code V I P DS D TOTmax. STW65N65DM2AG 650 V 0.05 60 A 446 W Designed for automotive applications and 3AEC-Q101 qualified 2 Fast-recovery body diode 1 Extremely low gate charge and inpu

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History: PH3230S | CE3512K2 | 6N80G-TA3-T | 2SK4067I | SWK028P04VT | STF8NK85Z

 

 
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